[发明专利]集成电路器件结构形成方法及相应结构有效
| 申请号： | 200710045103.X | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373733A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 卑多慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种提高集成电路器件中的层间电介质层击穿电压的器件结构形成方法，该方法包括：在集成电路器件中的铜层和NDC层之间，形成富含氮的电介质过渡层。由本发明方法形成的层间电介质层结构中，在金属铜层和NDC层之间为所述的电介质过渡层。采用本发明提供的方法和结构，可以使所述层间电介质层的击穿电压得到显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 结构 形成 方法 相应 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件结构形成方法，用于提高集成电路器件中的金属层和NDC层之间介面的击穿电压，其特征在于，该方法包括步骤：在集成电路器件中的金属层和NDC层之间，形成富含氮的电介质过渡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
