[发明专利]集成电路器件结构形成方法及相应结构有效
| 申请号： | 200710045103.X | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373733A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 卑多慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 结构 形成 方法 相应 | ||
1.一种在集成电路器件中提高金属层和氮掺杂的碳化硅层之间的介 面击穿电压的方法，其特征在于，该方法包括步骤：
在集成电路器件中的金属层和氮掺杂的碳化硅层之间，形成富含氮的 电介质过渡层，所述电介质过渡层的含氮量超过氮掺杂的碳化硅层的含氮 量。
2.根据权利要求1所述的方法，其包括下列步骤：
a)以常规方法在衬底上形成第一金属层(201)；
b)在所述第一金属层(201)上沉积形成电介质过渡层(204)；
c)在所述电介质过渡层(204)上形成氮掺杂的碳化硅层(203)；
d)以常规方法在所形成的氮掺杂的碳化硅层(203)上形成电介 质层(202)；
e)以常规方法在所形成的电介质层(202)上形成第二金属层 (201’)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中步骤b)的控制参数为：
功率，100～600W；温度，300～400℃；压力，1～4Torr；
气体流量：三甲基硅烷和/或四甲基硅烷，10～300sccm；He，200～ 600sccm；NH3，200～500sccm；
持续时间：2～10秒。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中步骤b)的控制参数为：
功率，300W；温度，350℃；压力，3.0Torr；
气体流量：三甲基硅烷和/或四甲基硅烷，50sccm；He，400sccm；NH3， 325sccm；
持续时间：3秒。
5.一种用于在集成电路器件中提高铜层和氮掺杂的碳化硅层之间介 面的击穿电压的器件结构，其在基材上依次包括第一金属层(201)，电 介质过渡层(204)，氮掺杂的碳化硅层(203)，电介质层(202)以及 第二金属层(201’)，其特征在于：
所述电介质过渡层(204)位于第一金属层(201)和氮掺杂的碳化硅 层(203)之间，所述电介质过渡层(204)的含氮量超过氮掺杂的碳化硅 层(203)的含氮量。
6.根据权利要求5所述的器件结构，其中，电介质过渡层(204)的 含氮量超过氮掺杂的碳化硅层(203)的含氮量，介于20atom％～50atom ％之间。
7.根据权利要求5或6所述的器件结构，其中，电介质过渡层(204) 的厚度是
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
