[发明专利]图形的形成方法有效
| 申请号： | 200710041099.X | 申请日： | 2007-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312113A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 马擎天;刘乒;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种图形的形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲体；在所述牺牲体间填充目标层，形成目标体；在所述牺牲体和所述目标体上定义掩膜体；刻蚀去除位于各所述掩膜体间的所述沟槽下的目标体；去除所述掩膜体和所述牺牲体。本发明的方法降低了形成细微图形时对光刻工艺的要求，放宽了对光刻胶厚度的限制，并可以形成突破曝光机曝光极限的更为细微的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种图形的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成牺牲体，且所述牺牲体的宽度为第一宽度，各所述牺牲体间的间距为第一间距；在所述牺牲体间填充目标层，形成目标体；在所述牺牲体和所述目标体上形成掩膜体，所述掩膜体的宽度为第二宽度，各掩膜体间的间距为第二间距，且各所述掩膜体间的沟槽位于所述目标体的上方，所述牺牲体间的第一间距大于所述掩膜体间的第二间距；刻蚀去除位于各所述掩膜体间的沟槽下的目标体；去除所述掩膜体和所述牺牲体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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