[发明专利]图形的形成方法

权利要求书

1.一种图形的形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底；

在所述衬底上形成牺牲体，且所述牺牲体的宽度为第一宽度，各所述牺牲体间的间距为第一间距；

在所述牺牲体间填充目标层，形成目标体；

在所述牺牲体和所述目标体上形成掩膜体，所述掩膜体的宽度为第二宽度，各掩膜体间的间距为第二间距，且各所述掩膜体间的沟槽位于所述目标体的上方，所述牺牲体间的第一间距大于所述掩膜体间的第二间距；

刻蚀去除位于各所述掩膜体间的沟槽下的目标体；

去除所述掩膜体和所述牺牲体。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述第二宽度与第二间距之和与所述第一宽度与所述第一间距之和相等。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述第二间距与所述第一宽度相等。

4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于：所述第二间距与所述第一宽度不相等。

5.如权利要求2或3所述的形成方法，其特征在于：所述掩膜体间的沟槽的两个侧壁至各自相邻的牺牲体的边缘的距离相同。

6.如权利要求2或4所述的形成方法，其特征在于：所述掩膜体间的沟槽的两个侧壁至各自相邻的牺牲体的边缘的距离不相同。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述牺牲体与所述目标体之间具有较高的去除选择比。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述牺牲体为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：所述目标体为氮化硅或氮化钛中的一种。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成牺牲体，包括步骤：

在所述衬底上形成牺牲层；

利用光刻胶在所述牺牲层上形成牺牲体图形，保护将要形成牺牲体的区域；

刻蚀所述牺牲层，形成牺牲体；

去除所述光刻胶。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述牺牲体间填充目标层，形成目标体，包括步骤：

在所述衬底上沉积目标层；

利用化学机械研磨方法进行平坦化处理，形成存在于各所述牺牲体之间的目标体。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述牺牲体和所述目标体上形成掩膜体，包括步骤：

在所述牺牲体和所述目标体上涂布光刻胶；

利用光刻技术形成光刻胶掩膜体。