[发明专利]单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机有效
申请号: | 200710040549.3 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN101087007A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 钟建成;张剑;李琴;钟建平;朱伟国 | 申请(专利权)人: | 上海明兴开城超音波科技有限公司;上海开成工业清洗设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 周濂堂 |
地址: | 201400上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机,属化学蚀刻技术和清洗技术领域。其特点是除了包含有水、酸、碱参于蚀刻和洗净外,并有超声波参与蚀刻和清洗过程;有以下操作程序完成蚀刻和清洗:①超声波预洗、预热,②超声波去损伤层,③超声波制绒处理,④超声波漂洗,⑤酸洗中和,⑥超声波漂洗,⑦切水,⑧热焓干燥。实施本发明后的积极效果是:由于采用超声波参与蚀刻和清洗过程后,制绒液能均匀地与硅片反应,表面形成相近的粗糙程度,出现良好的棱锥图案;也能使碱性溶液中存在的钾、钠离子去除干净,延长硅片寿命;减少环境污染,大量节约能耗和水资源,是一个很实用的好发明。 | ||
搜索关键词: | 单晶硅 太阳能电池 化学 蚀刻 清洗 干燥 方法 一体化 处理机 | ||
【主权项】:
1,单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法,包含有水、酸、碱参与蚀刻和洗净,其特征是:并有超声波参与蚀刻和清洗过程;由以下操作程序完成蚀刻、清洗、干燥:①超声波预洗、预热:用水的清洗液清除硅片上的切割屑,冷却液等杂物,并将常温的硅片在清洗液中加热至40~50℃;②超声波去损伤层:将硅片浸泡在液温为80~90℃、5%的NaOH的溶液中,浸泡5分钟,由超声波的空化气泡,均匀液体质量浓度,剥离损伤层;③超声波制绒处理:将硅片先后浸泡在80~90℃,2-5%的NaOH,5-10%的异丙醇和余量为纯水的混合液4个槽的制绒液中,各浸泡5分钟,并置入超声波;④超声波漂洗:硅片从制绒液中取出,放入超纯水中,并置入超声波;⑤超声波中和:水槽放置超纯水,并添加纯净的柠檬酸,添加量约为万分之六重量比,使PH值在5-6之间,当硅片进入酸性液体内,置入超声波;⑥超声波漂洗:本工序为逐级高置的3个槽,均流入超纯水,纯水从后道工位向前道工位由高位槽逐级向低位槽溢流;⑦切水:俗称脱水,切水为2个工位,本工位槽体内放置碳氢溶剂,硅片浸入槽液,开启排水阀,排出脱出的下沉的水;⑧热焓干燥:槽体上部安装气动门;槽体外部配置3台风机,一台送热风、一台送冷风、另外一台抽风,热风机和冷风机交叉工作,所有送风机吸入的空气都经过100级过滤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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