[发明专利]单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机有效

专利信息
申请号: 200710040549.3 申请日: 2007-05-11
公开(公告)号: CN101087007A 公开(公告)日: 2007-12-12
发明(设计)人: 钟建成;张剑;李琴;钟建平;朱伟国 申请(专利权)人: 上海明兴开城超音波科技有限公司;上海开成工业清洗设备有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 周濂堂
地址: 201400上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机,属化学蚀刻技术和清洗技术领域。其特点是除了包含有水、酸、碱参于蚀刻和洗净外,并有超声波参与蚀刻和清洗过程;有以下操作程序完成蚀刻和清洗:①超声波预洗、预热,②超声波去损伤层,③超声波制绒处理,④超声波漂洗,⑤酸洗中和,⑥超声波漂洗,⑦切水,⑧热焓干燥。实施本发明后的积极效果是:由于采用超声波参与蚀刻和清洗过程后,制绒液能均匀地与硅片反应,表面形成相近的粗糙程度,出现良好的棱锥图案;也能使碱性溶液中存在的钾、钠离子去除干净,延长硅片寿命;减少环境污染,大量节约能耗和水资源,是一个很实用的好发明。
搜索关键词: 单晶硅 太阳能电池 化学 蚀刻 清洗 干燥 方法 一体化 处理机
【主权项】:
1,单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法,包含有水、酸、碱参与蚀刻和洗净,其特征是:并有超声波参与蚀刻和清洗过程;由以下操作程序完成蚀刻、清洗、干燥:①超声波预洗、预热:用水的清洗液清除硅片上的切割屑,冷却液等杂物,并将常温的硅片在清洗液中加热至40~50℃;②超声波去损伤层:将硅片浸泡在液温为80~90℃、5%的NaOH的溶液中,浸泡5分钟,由超声波的空化气泡,均匀液体质量浓度,剥离损伤层;③超声波制绒处理:将硅片先后浸泡在80~90℃,2-5%的NaOH,5-10%的异丙醇和余量为纯水的混合液4个槽的制绒液中,各浸泡5分钟,并置入超声波;④超声波漂洗:硅片从制绒液中取出,放入超纯水中,并置入超声波;⑤超声波中和:水槽放置超纯水,并添加纯净的柠檬酸,添加量约为万分之六重量比,使PH值在5-6之间,当硅片进入酸性液体内,置入超声波;⑥超声波漂洗:本工序为逐级高置的3个槽,均流入超纯水,纯水从后道工位向前道工位由高位槽逐级向低位槽溢流;⑦切水:俗称脱水,切水为2个工位,本工位槽体内放置碳氢溶剂,硅片浸入槽液,开启排水阀,排出脱出的下沉的水;⑧热焓干燥:槽体上部安装气动门;槽体外部配置3台风机,一台送热风、一台送冷风、另外一台抽风,热风机和冷风机交叉工作,所有送风机吸入的空气都经过100级过滤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海明兴开城超音波科技有限公司;上海开成工业清洗设备有限公司,未经上海明兴开城超音波科技有限公司;上海开成工业清洗设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710040549.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top