[发明专利]单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机有效
申请号: | 200710040549.3 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN101087007A | 公开(公告)日: | 2007-12-12 |
发明(设计)人: | 钟建成;张剑;李琴;钟建平;朱伟国 | 申请(专利权)人: | 上海明兴开城超音波科技有限公司;上海开成工业清洗设备有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 周濂堂 |
地址: | 201400上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 太阳能电池 化学 蚀刻 清洗 干燥 方法 一体化 处理机 | ||
技术领域
属化学蚀刻技术和清洗技术领域。
背景技术
太阳能光伏发电是新能源和可再生能源的重要组成部分,被认为是当前世界上最有发展前景的新能源技术。硅太阳能电池是光伏发电的核心部件,高效硅太阳能电池需要通过表面的纹理结构来减少辐射,增强光线的搜集。如单晶硅的纹理通常是用碱性溶液处理的。在进行纹理工艺前后,都必须对硅片进行清洗。传统加工纹理的方法是:水洗——浸泡式碱液去损伤层(20-30% NaOH)——搅拌式碱腐蚀制绒——活水冲洗——盐酸清洗(3-5%)——活水冲洗——氢氟酸清洗(3-5%)——活水冲洗——烘干。该工艺完成纹理的制作和清洗需要消耗大量的水源,并且盐酸和氢氟酸对操作者带来伤害和对周边环境会带来污染,也使硅片无法在净化室内进行清洗,很难提高硅片的清洁度。更重要的是如果未对硅片上的盐酸,氢氟酸彻底洗净,日久之后会对硅电池产生延迟性腐蚀,影响太阳能电池的使用寿命。传统的制作工艺能耗高、污染严重、污水处理及空气净化复杂。
发明内容
本发明提供一种能耗低、污染小、从而使污水易处理和无害化气体排放的一种单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机。
本发明采取的技术方案:
单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法,包含有纯水、酸、碱参与去损伤层,其方案是:由超声波参与去损伤层、蚀刻和清洗过程,采用碳氢溶剂对单晶硅脱水、热焓干燥。
采取以下操作程序完成预清洗、去损伤层、蚀刻、中和、漂洗和干燥:
①超声波预洗、预热;②超声波去损伤层;③超声波制绒;④超声波漂洗;⑤超声波中和;⑥超声波漂洗;⑦切水;⑧热焓干燥。所述的超声波是每升液体20W的功率分布,频率为40KHz。
单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的一体化处理机,包含放置单晶硅清洗篮的槽体,移动清洗篮的传送机构,其方案是:
放置单晶硅的清洗篮,由传送机构分别按序或同步送入超声波预洗预热槽位、超声波去损伤层槽位、4个超声波制绒槽位、超声波漂洗槽位、超声波中和槽位、3个超声波漂洗槽位、2个切水槽位、热焓干燥槽位;所述分别按序或同步送入槽位,是由升降装置和横移装置操作实现,并由各槽位的超声波装置,介质供应装置配合完成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的