[发明专利]单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机

权利要求书

1，单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法，包含有水、酸、碱参与蚀刻和洗净，其特征是：并有超声波参与蚀刻和清洗过程；由以下操作程序完成蚀刻、清洗、干燥：

①超声波预洗、预热：用水的清洗液清除硅片上的切割屑，冷却液，并将常温的硅片在清洗液中加热至40～50℃；

②超声波去损伤层：将硅片浸泡在液温为80～90℃、5％的NaOH的溶液中，浸泡5分钟，由超声波的空化气泡，均匀液体质量浓度，剥离损伤层；

③超声波制绒处理：将硅片先后浸泡在80～90℃，2-5％的NaOH，5.10％的异丙醇和余量为纯水的混合液4个槽的制绒液中，各浸泡5分钟，并置入超声波；

④超声波漂洗：硅片从制绒液中取出，放入超纯水中，并置入超声波；

⑤超声波中和：水槽放置超纯水，并添加纯净的柠檬酸，添加量约为万分之六重量比，使PH值在5—6之间，当硅片进入酸性液体内，置入超声波；

⑥超声波漂洗：本工序为逐级高置的3个槽，均流入超纯水，纯水从后道工位向前道工位由高位槽逐级向低位槽溢流：

⑦切水：俗称脱水，切水为2个工位，本工位槽体内放置碳氢溶剂，硅片浸入槽液，开启排水阀，排出脱出的下沉的水；

⑧热焓干燥：槽体上部安装气动门；槽体外部配置3台风机，一台送热风、一台送冷风、另外一台抽风，热风机和冷风机交叉工作，所有送风机吸入的空气都经过100级过滤。

2，根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法，其特征是：所述的超声波是每升液体20W的功率分布，频率为40KHz。

3，单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的一体化处理机，包含放置单晶硅清洗篮的槽体，移动清洗篮的传送机构，其特征是：放置单晶硅的清洗篮，由传送机构分别按序或同步送入超声波预洗预热槽位(1)、超声波去损伤层槽位(2)、超声波制绒第一槽位(3)、超声波制绒第二槽位(4)、超声波制绒第三槽位(5)、超声波制绒第四槽位(6)、超声波漂洗第一槽位(7)、超声波中和槽位(8)、超声波漂洗第二槽位(9)、超声波漂洗弟三槽位(10)、超声波漂洗第四槽位(11)、切水第一槽位(12)、切水第二槽位(13)、热焓干燥槽位(14)；所述分别按序或同步送入槽位，是由升降装置(15)，和横移装置(16)操作实现，并由各槽位的超声波装置(17)，介质供应装置(18)配合完成。

4，根据权利要求3所述单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的一体化处理机，其特征是：所述的制绒槽其结构是采用上下复合槽体(19)，下槽(20)放置制绒液(21)，上槽(22)放置冷却盘管(23)，下槽底面结构为漏斗形(24)收集反应物硅酸纳，上槽的冷却盘管收集制绒液中异丙醇的挥发气体，并捕捉部份加热过程中蒸发的水蒸气。