[发明专利]改善临界尺寸均匀度的显影方法有效
| 申请号： | 200710039422.X | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101286015A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 郑铭仁 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善临界尺寸均匀度的显影方法，其利用于现有的机台设备，在现有的显影过程步骤中的单向混拌过程变更为交替方向混拌过程，以此在不增加机台等额外的设备成本的前提下，增加显影液与已曝光光致抗蚀涂层的接触程度，以大幅度提高曝光的精确度，改善显影时临界尺度的均匀性，使符合现今微小化的工艺尺度。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 临界 尺寸 均匀 显影 方法 | ||
【主权项】：
1、 一种改善临界尺寸均匀度的显影方法，其特征在于包括以下步骤：提供一芯片，其表面具有一已曝光光致抗蚀涂层；将该芯片置于一预进行混搅的机台上；喷洒显影液于该芯片上；利用该机台以顺时针与逆时针交替方向旋转的方式对该显影液进行混拌；对该芯片之表面与背面进行清洗，以完成整个显影工艺。
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