[发明专利]改善临界尺寸均匀度的显影方法有效
| 申请号： | 200710039422.X | 申请日： | 2007-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101286015A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 郑铭仁 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/30 | 分类号： | G03F7/30 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 临界 尺寸 均匀 显影 方法 | ||
【权利要求书】：
1、 一种改善临界尺寸均匀度的显影方法，其特征在于包括以下步骤：
提供一芯片，其表面具有一已曝光光致抗蚀涂层；
将该芯片置于一预进行混搅的机台上；
喷洒显影液于该芯片上；
利用该机台以顺时针与逆时针交替方向旋转的方式对该显影液进行混拌；
对该芯片之表面与背面进行清洗，以完成整个显影工艺。
2、 根据权利要求1所述的改善临界尺寸均匀度的显影方法，其特征在于：该顺时针与逆时针交替方向的混拌过程重复多次。
3、 根据权利要求1所述的改善临界尺寸均匀度的显影方法，其特征在于：该清洗步骤中使用去离子水来达成。
4、 根据权利要求1所述的改善临界尺寸均匀度的显影方法，其特征在于：该机台为一旋转器。
5、 一种改善临界尺寸均匀度的显影方法，其特征在于：在显影工艺步骤的混拌步骤采顺时针与逆时针混拌的方法来进行混拌。
6、 根据权利要求5所述的改善临界尺寸均匀度的显影方法，其特征在于：该顺时针与逆时针交替方向的混拌过程重复多次。
7、 根据权利要求5所述的改善临界尺寸均匀度的显影方法，其特征在于：该清洗步骤中使用去离子水。
8、 根据权利要求5所述的改善临界尺寸均匀度的显影方法，其特征在于：该机台为一旋转器。
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