[发明专利]压电式合成射流器及其制作方法无效
| 申请号： | 200710018045.1 | 申请日： | 2007-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101066542A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 邓进军;苑伟政;马炳和;朱业传 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B05B17/04 | 分类号： | B05B17/04 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 黄毅新 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压电式合成射流器，包括硅基体、腔体、喷口、振动膜片和压电致动器，硅基体的下方是腔体，喷口位于腔体上方并与腔体贯通，振动膜片位于硅基体下表面，并在腔体的下方形成悬置薄膜，压电致动器位于振动膜片下表面中央，其特点是所述的压电致动器由压电材料，以及贴附于其上下表面的上电极和下电极构成。本发明公开的上述压电式合成射流器的制作方法，采用电化学腐蚀法，在腔体位置制备多孔硅层，最后释放多孔硅形成腔体，采用感应耦合等离子刻蚀形成喷口，采用低压化学气相沉积法沉积硅振动膜片，采用溶胶－凝胶法制备压电薄膜，由于腔体、喷口、振动膜片和压电薄膜在同一个硅基体上加工完成，提高了合成射流器可靠性和一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 合成 射流 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种压电式合成射流器，包括硅基体、腔体、喷口、振动膜片和压电致动器，硅基体的下方是腔体，位于腔体上方并与腔体贯通的是喷口，腔体和喷口贯穿硅基体，振动膜片位于硅基体的下表面，并在腔体的下方形成悬置薄膜，压电致动器位于振动膜片的下表面中央，其特征在于：所述的压电致动器由压电材料，以及贴附于其上下表面的上电极和下电极构成。
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