[发明专利]压电式合成射流器及其制作方法无效
| 申请号： | 200710018045.1 | 申请日： | 2007-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN101066542A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 邓进军;苑伟政;马炳和;朱业传 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | B05B17/04 | 分类号： | B05B17/04 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 黄毅新 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 合成 射流 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种压电式合成射流器的制作方法，其特征在于包括以下步骤：首先将硅基体的上下表面抛光，然后采用低压化学气相沉积法在硅基体上沉积氮化硅层，在硅基体的下表面光刻形成掩模，按照腔体的形状与大小，采用电化学腐蚀法制备多孔硅层，或者采用选择性离子注入形成高阻区的方式制备多孔硅层；去除硅基体下表面腔体位置以外的氮化硅层，在硅基体的下表面采用低压化学气相沉积法沉积振动膜片，在振动膜片的表面沉积上电极，采用溶胶一凝胶法制备压电材料，在压电材料的下表面沉积下电极，在硅基体的上表面光刻并进行感应耦合等离子刻蚀形成喷口，释放多孔硅形成腔体。
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