[发明专利]一种中空纳米氧化硅球的制备方法无效
| 申请号: | 200710012158.0 | 申请日: | 2007-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN101348254A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
| 发明(设计)人: | 杨启华;刘健;李灿;张磊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号: | C01B33/113 | 分类号: | C01B33/113;C01B33/18 |
| 代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 马驰;周秀梅 |
| 地址: | 116023*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | 本发明涉及氧化硅球颗粒,具体地说是一种中空纳米氧化硅球的制备方法,在室温近中性的仿生体系下,以三嵌段共聚物F127为结构导向剂,控制水解的油溶硅源与三嵌段聚合物F127以及无机电解质之间的相互作用,通过聚合物胶束制备,硅源水解聚合,水热晶化,干燥,脱出结构导向剂等步骤,得到中空球形颗粒,其大小可在10~20nm范围内连续可调;壳壁厚度在5~10nm范围内可调。合成的纳米中空球具有大比表面及大孔容,颗粒粒度均一且分散性好;纳米中空球之间可以形成多级结构;具有高机械稳定性和热稳定性等诸多优点。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 中空 纳米 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种中空纳米氧化硅球的制备方法,其特征在于:可按如下步骤操作,(1)聚合物胶束制备,将结构导向剂三嵌段共聚物F127溶解于pH=6-8的无机盐水溶液;无机盐水溶液中的阴离子的浓度为0.005~0.1M;(2)硅源的水解聚合:在搅拌下于聚合物胶束中加入硅源,搅拌制得母液,合成过程中搅拌温度范围12~40℃,搅拌时间10~48h;各组分的摩尔比为:三嵌段共聚物∶无机盐∶硅源=1~2.2∶504~2520∶100~353;(3)水热晶化:将步骤(2)制得的母液在60~120℃水热晶化24~48h;(4)干燥:将步骤(3)水热晶化后的产物抽率,用水洗涤,室温干燥;(5)脱出结构导向剂:将干燥后的产物在酸性的乙醇溶液中回流10~30h,制得本发明的产品。
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