[发明专利]一种中空纳米氧化硅球的制备方法

权利要求书

1.一种中空纳米氧化硅球的制备方法，其特征在于：按如下步骤操作，

(1)聚合物胶束制备，将结构导向剂三嵌段共聚物F127溶解于pH＝6-8的无机盐水溶液；无机盐水溶液中的阴离子的浓度为0.005～0.1M；

(2)硅源的水解聚合：在搅拌下于聚合物胶束中加入硅源，搅拌制得母液，合成过程中搅拌温度范围12～40℃，搅拌时间10～48h；

各组分的摩尔比为：三嵌段共聚物F127∶无机盐∶硅源＝1～2.2∶504～2520∶100～353；

(3)水热晶化：将步骤(2)制得的母液在60～120℃水热晶化24～48h；

(4)干燥：将步骤(3)水热晶化后的产物抽滤，用水洗涤，室温干燥；

(5)脱出结构导向剂：将干燥后的产物在酸性的乙醇溶液中回流10～30h，制得本发明的产品。

2.根据权利要求1所述中空纳米氧化硅球的制备方法，其特征在于：所述无机盐水溶液是磷酸二氢钠-磷酸氢二钠缓冲溶液、硫酸钠或碳酸钠的水溶液，阴离子浓度为0.02～0.1M。

3.根据权利要求1所述中空纳米氧化硅球的制备方法，其特征在于：所述硅源为乙烷桥联的有机硅烷BTME[(MeO)₃SiCH₂CH₂Si(OMe)₃]或正硅酸甲酯TMOS[(MeO)₄Si]。

4.根据权利要求1所述中空纳米氧化硅球的制备方法，其特征在于：所述步骤5)中产物在酸性的乙醇溶液中回流过程1.0g产物采用50-400mL乙醇溶液，乙醇溶液中含1-4g HCl。