[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，适用于背面感光装置的制造。特别是本制造方法可减少由于晶片边缘处不良的连接质量在制造过程中对晶片的危害。在一实施例中，将晶片连接至基板之前，施以晶片边缘裁切的步骤。使用一预磨刀(pre－grind blade)沿着晶片的圆周形成一直角的边缘，以消除所有的锐利的边缘。在另一实施例中，将晶片连接至基板之后，施以边缘裁切，其使用一预磨刀来移除研磨前发生连接不佳的晶片边缘的环状区。在各情况中，研磨后的晶片的最终厚度约为50μm。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，适用于背面感光的互补型金属氧化物半导体装置的制造，包含：提供一互补型金属氧化物半导体晶片，其具有一正面与一背面，在所述正面具有多个置于其上的互补型金属氧化物半导体电路元件，所述互补型金属氧化物半导体晶片还具有一厚度，其圆周具有一斜面区；提供一承载基板；施以一连接步骤，将所述承载基板连接至所述互补型金属氧化物半导体晶片的所述正面；施以一裁切步骤，沿所述互补型金属氧化物半导体晶片的圆周作裁切，以消除至少一部分的所述斜面区；以及在所述半导体晶片的所述背面的至少一部分，缩减所述半导体晶片的厚度。