[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，适用于背面感光的互补型金属氧化物半导体装置的制造，包含：

提供一互补型金属氧化物半导体晶片，其具有一正面与一背面，在所述正面具有多个置于其上的互补型金属氧化物半导体电路元件，所述互补型金属氧化物半导体晶片还具有一厚度，其圆周具有一斜面区；

提供一承载基板；

施以一连接步骤，将所述承载基板连接至所述互补型金属氧化物半导体晶片的所述正面；

施以一裁切步骤，沿所述互补型金属氧化物半导体晶片的圆周作裁切，以消除至少一部分的所述斜面区；以及

在所述半导体晶片的所述背面的至少一部分，缩减所述半导体晶片的厚度。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述裁切步骤是在围绕所述互补型金属氧化物半导体晶片的圆周的环状区内，缩减所述互补型金属氧化物半导体晶片的厚度。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中

所述互补型金属氧化物半导体晶片的直径不大于8英寸；以及

将所述互补型金属氧化物半导体晶片的厚度缩减至不大于50μm。

4.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中

所述互补型金属氧化物半导体晶片的直径不大于12英寸；以及

将所述互补型金属氧化物半导体晶片的厚度缩减至不大于100μm。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述连接步骤中，还包含在所述互补型金属氧化物半导体晶片与所述承载基板之间使用一中间连接材料。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述裁切步骤中以一裁切刀执行多次裁切的操作，以增加所述互补型金属氧化物半导体晶片的移除量。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述裁切步骤包含一或多道程序，自由选择以下所组成的族群：机械裁切、化学裁切、与激光切削。

8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中所述裁切步骤是在围绕所述互补型金属氧化物半导体晶片的圆周的环状区内，移除其物质，所述环状区的宽度约2mm。

9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述承载基板包含玻璃或硅。

10.一种半导体装置的制造方法，适用于背面感光的互补型金属氧化物半导体装置的制造，包含：

提供一互补型金属氧化物半导体晶片，其具有一第一主要表面与一第二主要表面，在所述第一主要表面具有多个有源电路元件，所述互补型金属氧化物半导体晶片还具有一晶片厚度，一斜面区则沿着所述互补型金属氧化物半导体晶片的圆周置于其边缘；

施以一移除步骤，在所述斜面区内移除所述互补型金属氧化物半导体晶片，移除量为一第一厚度；以及

在所述互补型金属氧化物半导体晶片的所述第二主要表面的至少一部分，缩减所述互补型金属氧化物半导体晶片的厚度，缩减量为一第二厚度；

其中所述第二厚度大于所述第一厚度。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，还包含：

提供一承载基板；以及

施以一连接步骤，将所述承载基板连接至所述互补型金属氧化物半导体晶片的所述第一主要表面；

其中所述移除步骤的顺序在所述连接步骤之前。

12.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，还包含：

提供一承载基板；以及

施以一连接步骤，将所述承载基板连接至所述互补型金属氧化物半导体晶片的所述第一主要表面；

其中所述移除步骤的顺序在所述连接步骤之后。

13.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中所述移除步骤是在围绕所述互补型金属氧化物半导体晶片的圆周的环状区内，缩减所述互补型金属氧化物半导体晶片的厚度。

14.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中所述移除步骤中以一裁切刀执行多次裁切的操作，以增加所述互补型金属氧化物半导体晶片的移除量。

15.如权利要求10项所述的半导体装置的制造方法，其中所述移除步骤是在围绕所述互补型金属氧化物半导体晶片的圆周的环状区内，移除所述互补型金属氧化物半导体晶片的物质，所述环状区的宽度约1.5mm。