[发明专利]一种静电放电保护方法与电路

摘要

本发明涉及一种静电放电(electrostatic discharge，ESD)保护方法与电路，利用场区(field)n－通道金氧半场效晶体管(n－channel metal－oxide－semiconductor field effecttransistor，NMOS)的闸极受到高静电压会打开电子信道导通大量静电流的原理，有效防护任何在工作电压(operation voltage)范围外的静电放电事件(ESD event)，改良传统的p－信道金氧半场效晶体管(PMOS)仅能保护比电源电压V_DD小的输入输出端(I/O)工作电压的限制。且，因其工作电压涵盖范围极广，故可直接用于开汲极(open drain)输出端与电源电压V_DD之间，不必经由对V_SS作两阶段静电放电保护，节省许多空间亦更为安全；同时，亦不同于采穿透崩溃电流(punch through current)为静电放电保护的浮动闸极场区n－通道金氧半场效晶体管(floating－gate field NMOS)，本发明可明确设定静电放电保护的启动(trigger)电压值(亦即该电子信道产生的临界电压)使静电保护更加安全。

主权项

1. 一种静电放电保护方法，供以保护一内部电路不受静电放电时的影响与侵害，其特征在于，包括以下步骤：(a)透过一个第一静电放电端，将该内部电路发生静电放电事件时的静电放电电流导入；再(b)透过一个第二静电放电端，将该内部电路发生静电放电事件时的静电放电电流流出；同时，(c)利用该内部电路发生静电放电事件时，该第一静电放电端与该第二静电放电端间的电压差，使一个第一n通道金氧半场效晶体管的闸极氧化层下方空乏区发生反转以产生电子信道，供以该第一静电放电端导入的静电放电电流得以迅速由该第二静电放电端流出，达到静电放电保护的作用。