[发明专利]一种静电放电保护方法与电路

权利要求书

1. 一种静电放电保护方法，供以保护一内部电路不受静电放电时的影响与侵害，其特征在于，包括以下步骤：

(a)透过一个第一静电放电端，将该内部电路发生静电放电事件时的静电放电电流导入；再

(b)透过一个第二静电放电端，将该内部电路发生静电放电事件时的静电放电电流流出；同时，

(c)利用该内部电路发生静电放电事件时，该第一静电放电端与该第二静电放电端间的电压差，使一个第一n通道金氧半场效晶体管的闸极氧化层下方空乏区发生反转以产生电子信道，供以该第一静电放电端导入的静电放电电流得以迅速由该第二静电放电端流出，达到静电放电保护的作用。

2. 一种单向静电放电保护电路，供以保护一内部电路不受单向静电放电电流的影响与侵害，其特征在于，包括：

(a)一个第一静电放电端，供以导入该内部电路发生静电放电事件时的静电放电电流且其电压为；

(b)一个第二静电放电端，供以流出该内部电路发生静电放电事件时的静电放电电流且其电压为；以及

一个第一n通道金氧半场效晶体管，其闸极连接该第一静电放电端，且其汲极与源极分别连接该第一静电放电端与该第二静电放电端，供以在该内部电路发生静电放电事件时该第一静电放电端到该第二静电放电端的静电放电电位差大于等于其闸极临界电压时，在其汲源极间形成短路，使静电放电电流避开该内部电路的路径分流至其汲源极间的短路以形成静电放电保护。

3. 如权利要求2所述的单向静电放电保护电路，其特征在于，在正常工作电压下，该第一静电放电端与该第二静电放电端P₂间的电压差系小于闸极临界电压，使避免该第一n通道金氧半场效晶体管的汲源极间发生短路。

4. 如权利要求2所述的单向静电放电保护电路，其特征在于，该第一n通道金氧半场效晶体管为场区n通道金氧半场效晶体管，其闸极下方的场区氧化层系使闸极临界电压变大。

5. 如权利要求4所述的单向静电放电保护电路，其特征在于，该临界电压值系藉由选择不同制程的场区n通道金氧半场效晶体管加以调整，以符合不同的正常工作电压需求。

6. 如权利要求4所述的单向静电放电保护电路，是具有较大的临界电压，使直接用于该内部电路对外的开汲极的输入输出端与电源电压端间的静电放电保护。

7. 如权利要求2所述的单向静电放电保护电路，其特征在于，该第一n通道金氧半场效晶体管的闸极为复晶硅闸极，以得到较佳的静电放电保护作用。

8. 一种双向静电放电保护电路，供以保护一内部电路不受双向静电放电电流的影响与侵害，其特征在于，包括：

(a)一个第一静电放电端，供以导入/流出该内部电路发生静电放电事件时的静电放电电流且其电压为；

(b)一个第二静电放电端，供以流出/导入该内部电路发生静电放电事件时的静电放电电流且其电压为；

(c)一个第一n通道金氧半场效晶体管，其闸极连接该第一静电放电端，且其汲极与源极分别连接该第一静电放电端与该第二静电放电端，供以在该内部电路发生静电放电事件时该第一静电放电端到该第二静电放电端的静电放电电位差大于等于其闸极临界电压时，在其汲源极间形成短路，使静电放电电流避开该内部电路的路径分流至其汲源极间的短路以形成静电放电保护；以及

(d)一个第二n通道金氧半场效晶体管，其闸极连接该第二静电放电端，且其汲极与源极分别连接该第二静电放电端与该第一静电放电端，供以在该内部电路发生静电放电事件时该第二静电放电端到该第一静电放电端P₁的静电放电电位差大于等于其闸极临界电压时，在其汲源极间形成短路，使静电放电电流避开该内部电路的路径分流至其汲源极间的短路以形成静电放电保护。

9. 如权利要求8所述的双向静电放电保护电路，其特征在于，在正常工作电压下，该第一静电放电端与该第二静电放电端间的电压差值是小于闸极临界电压，使避免该第一n通道金氧半场效晶体管的汲源极间发生短路，亦不会使该第二n通道金氧半场效晶体管的汲源极间发生短路。

10. 如权利要求8所述的双向静电放电保护电路，其特征在于，该第一n通道金氧半场效晶体管为场区n通道金氧半场效晶体管，其闸极下方的场区氧化层是使闸极临界电压变大。