[发明专利]磁存储装置无效

专利信息
申请号: 200680056375.3 申请日: 2006-11-14
公开(公告)号: CN101536089A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 佐藤贤治 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/02 分类号: G11B5/02;G11B5/31;G11B5/73;G11B5/84
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种磁存储装置,其具备:垂直磁记录介质(20),其由圆盘状的基板(21)、形成于基板上的软磁性衬底层(22)、和形成于软磁性衬底层(22)上的易磁化轴垂直于膜面的记录层(25)构成;以及磁头,其具有露出于介质相对面的记录元件和再现元件。软磁性衬底层(22)构成为:易磁化轴的取向沿周方向;磁头的记录元件具有施加记录磁场的主磁极部(71)和使记录磁场环流的旁轭部;在介质相对面(52a),副旁轭(72)配置在主磁极部(71)的直径方向,记录磁场的磁通在软磁性衬底层(22)中在直径方向流通。
搜索关键词: 存储 装置
【主权项】:
1. 一种磁存储装置,其具备:垂直磁记录介质,其由圆盘状的基板、形成于该基板上的软磁性衬底层、和形成于该软磁性衬底层上的易磁化轴垂直于膜面的记录层构成;以及磁头,其具有露出于介质相对面的记录元件和再现元件,所述软磁性衬底层的易磁化轴的取向沿周方向,所述记录元件具有用于施加记录磁场的主磁极部和用于使记录磁场环流的旁轭部,该主磁极部由软磁性材料构成,该旁轭部由软磁性材料构成,所述旁轭部具有在介质相对面配置在主磁极部的直径方向的副旁轭,所述记录磁场的磁通在软磁性衬底层中在直径方向流通。
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