[发明专利]磁存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及具备垂直磁记录介质的磁存储装置。

背景技术

近年来，由于磁盘的介质噪声的减小以及对磁头采用了自旋阀再现元件，磁存储装置，例如磁盘装置的记录密度得到了显著的提高，实现了超过每平方英寸为100Gbit的面记录密度。

以往，作为磁存储装置的磁记录介质，使用面内记录方式的磁记录介质。已知的是，该方式通过磁记录介质的残留磁膜厚积(tBr)的缩小和高矫顽力(Hc)，实现介质噪声的减小。如果推进tBr的缩小，则记录层的晶粒发生细微化，并且由于热能的影响，记录层的残留磁逐渐减少，发生所谓的热起伏的问题。此外，由于高Hc化也受限于记录头磁场的大小，因此很难实现这之上的高Hc化。由于这样的背景，面内记录方式的磁记录介质很难实现这之上的高记录密度化。

近年来，为了实现磁记录介质的进一步高记录密度化，对垂直磁记录方式的磁记录介质(垂直磁记录介质)的开发变得活跃起来。垂直磁记录方式具有如下优点：由于相邻记录位的反磁场的影响，记录在垂直磁记录介质的记录位越是高记录密度，残留磁的大小越稳定。其结果是，耐热起伏性也得到强化。

此外，在垂直记录介质中，在基板和记录层之间加有由软磁性材料构成的软磁性衬底层。即使不加软磁性衬底层，也能够进行记录/再现，但是通过将单磁极头和衬底层组合，与以往的面内记录用头相比，由记录时的记录元件产生的磁场能够大幅度地增加到约1.3倍以上。由此，能够对垂直介质提供比面内记录介质高的Hc。此外，软磁性衬底层由于急剧地引入由记录元件产生的磁场，因此磁场梯度变小，信号的写入宽度的影响也减小。这样，垂直磁记录介质与面内磁记录介质相比，具有各种优越性。

在具有这种记录层和软磁性衬底层的结构中，存在如下的广域磁道擦除(WATER；Wide AdjacentTrack Erasure：广域相邻磁道擦除)的问题：由于不经由磁极而在旁轭(returnyoke)和屏蔽层(shield)之间环流的磁通以及由软磁性衬底层的磁壁产生的磁通，记录层的信息不期望地被擦除。

为了解决这个问题，在磁头中采用了防止旁轭和屏蔽层之间的磁通环流的两层线圈方式。另一方面，在垂直磁记录介质中，采用了在两个软磁性层中夹持预定厚度的Ru膜而具有彼此平行反向的磁性的反强磁性结构体的软磁性衬底层。

【专利文献1】日本特开平6—103554号公报

发明内容

本发明在于提供一种磁存储装置，其具备在能够抑制广域磁道擦除的新颖且有用的垂直磁记录介质。

根据本发明的一个观点，提供一种磁存储装置，其具备：垂直磁记录介质，其由圆盘状的基板、形成于该基板上的软磁性衬底层、以及形成于该软磁性衬底层上的易磁化轴垂直于膜面的记录层构成；以及磁头，其具有露出于介质相对面的记录元件和再现元件，其中，所述软磁性衬底层的易磁化轴的取向沿周方向，所述记录元件具有用于施加记录磁场的由软磁性材料构成的主磁极部和用于使记录磁场环流的由软磁性材料构成的旁轭部，所述旁轭部具有在介质相对面配置在主磁极部的直径方向的副旁轭，所述记录磁场的磁通在软磁性衬底层中沿直径方向流通。

根据本发明，由于在介质相对面沿主磁极部的直径方向配置了副旁轭，因此，在记录时，在软磁性衬底层中，记录磁场的磁通沿直径方向流通。而且，易磁化轴的取向沿软磁性衬底层的周方向，因此直径方向成为难磁化轴，所以直径方向比周方向的高频磁导率高。因此，在高频之下切换的磁通在直径方向上更容易流通，能够抑制记录磁场在记录层中向面内方向扩展。其结果是，能够抑制广域磁道擦除。

附图说明

图1是示出本发明实施方式的磁存储装置的要部的图。

图2是构成本实施方式的垂直磁记录介质的剖视图。

图3是形成有离子束织构的基板的一部分的示意图。

图4是用于说明软磁性衬底层的易磁化轴的取向的图。

图5是用于说明离子束织构的形成方法的图(其一)。

图6是用于说明离子束织构的形成方法的图(其二)。

图7是实施例的软磁性衬底层的磁特性图。

图8是比较例的软磁性衬底层的磁特性图。

图9是构成本实施方式的磁头的要部的放大立体图。

图10是示出磁头的元件部的介质相对面的结构图。

图11是磁头的元件部和垂直磁记录介质的剖视图。

图12是从磁头的元件部和垂直磁记录介质的空气流出端侧观察的剖视图。

图13是构成本实施方式的另一垂直磁记录介质的立体图。