[发明专利]磁存储装置无效

专利信息
申请号: 200680056375.3 申请日: 2006-11-14
公开(公告)号: CN101536089A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 佐藤贤治 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/02 分类号: G11B5/02;G11B5/31;G11B5/73;G11B5/84
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种磁存储装置,其具备:

垂直磁记录介质,其由圆盘状的基板、形成于该基板上的软磁性衬底层、和形成于该软磁性衬底层上的易磁化轴垂直于膜面的记录层构成;以及

磁头,其具有露出于介质相对面的记录元件和再现元件,

所述软磁性衬底层的易磁化轴的取向沿周方向,

所述记录元件具有用于施加记录磁场的主磁极部和用于使记录磁场环流的旁轭部,该主磁极部由软磁性材料构成,该旁轭部由软磁性材料构成,

所述旁轭部具有在介质相对面配置在主磁极部的直径方向的副旁轭,所述记录磁场的磁通在软磁性衬底层中在直径方向流通。

2.根据权利要求1所述的磁存储装置,其特征在于,在所述基板的表面具备织构,且与该织构相接地形成有软磁性衬底层,其中,该织构具有沿周方向延伸的多个槽。

3.根据权利要求2所述的磁存储装置,其特征在于,在所述织构上沿周方向延伸有以机械方式形成的研磨痕。

4.根据权利要求2所述的磁存储装置,其特征在于,所述织构由大致沿一个方向延长的多个凸状体构成,该凸状体是沿周方向排列多个其长度方向而成的。

5.根据权利要求4所述的磁存储装置,其特征在于,所述织构是沿直径方向且从相对于基板的表面倾斜的方向照射离子束来形成的。

6.根据权利要求2所述的磁存储装置,其特征在于,在所述基板与软磁性衬底层之间还具备介电层,所述织构形成于介电层的表面而取代形成于基板的表面。

7.根据权利要求1所述的磁存储装置,其特征在于,所述基板具有沿周方向交替延伸的凸部和凹部,所述凸部和凹部沿直径方向交替配置。

8.根据权利要求7所述的磁存储装置,其特征在于,在所述凸部的表面形成有织构,并与该织构相接地形成有软磁性衬底层。

9.根据权利要求8所述的磁存储装置,其特征在于,在所述织构上沿周方向延伸有以机械方式形成的研磨痕。

10.根据权利要求8所述的磁存储装置,其特征在于,所述织构由大致沿一个方向延长的多个凸状体构成,该凸状体是沿周方向排列多个其长度方向而成的。

11.根据权利要求10所述的磁存储装置,其特征在于,所述织构是沿直径方向且从相对于基板的表面倾斜的方向照射离子束来形成的。

12.根据权利要求7所述的磁存储装置,其特征在于,在所述凸部上的记录层记录信息。

13.根据权利要求1所述的磁存储装置,其特征在于,所述介质相对面的主磁极部具有空气流出侧比空气流入侧长的等腰梯形的形状。

14.根据权利要求1所述的磁存储装置,其特征在于,所述副旁轭配置在介质相对面的主磁极部的直径方向的两侧。

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