[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200680055897.1 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101512738A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 让-米歇尔·雷内斯;菲利普·兰斯;叶夫根尼·斯特凡诺夫;杨·韦伯 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件装置包括半导体器件(11)和注入器器件(13)。半导体器件(11)包括第一传导性类型的第一电流电极区(16)、第一传导性类型的第二电流电极区(4)、第一和第二电流电极区之间的漂移区(6)，以及在漂移区中形成的第二传导性类型的至少一个浮置区(5、9)。注入器器件(13)被设置成：当半导体器件被接通时接收激活信号，以及响应于接收到激活信号将第二传导性类型的电荷载流子注入到漂移区(6)和至少一个浮置区(5、9)中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件装置，包括：半导体器件(11)，包括：第一传导性类型的第一电流电极区(16)，所述第一传导性类型的第二电流电极区(4)，在所述第一电流电极区和所述第二电流电极区之间的漂移区(6)，以及在所述漂移区中形成的第二传导性类型的至少一个浮置区(5、9)，所述装置的特征在于：注入器器件(13)，用于在当所述半导体器件被接通时接收激活信号，以及用于响应于接收到所述激活信号，将所述第二传导性类型的电荷载流子注入到所述漂移区(6)和所述至少一个浮置区(5、9)中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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