[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件装置，包括：

半导体器件(11)，包括：

第一传导性类型的所述半导体器件的第一电流电极区 (16)，

所述第一传导性类型的半导体衬底(4)，所述半导体 衬底(4)形成所述半导体器件(11)的第二电流电极区(4)，

在所述半导体衬底(4)上形成的半导体层(6)，

第二传导性类型的体区(12)，所述体区(12)形成在 所述半导体层(6)中并且从所述半导体层(6)的第一表面(51)延 伸，其中，所述第一电流电极区(16)是形成在所述半导体层(6)中 并且从所述半导体层的第一表面(51)延伸到所述体区(12)中，

在所述半导体层(6)中形成的在所述第一电流电极区 和所述第二电流电极区之间的所述第一传导性类型的漂移 区，以及

在所述漂移区中形成的所述第二传导性类型的至少一 个浮置区(5、9)，

所述装置的特征在于：

注入器器件(13)，包括在所述半导体层(6)中形成的横向IGBT 器件，所述注入器器件包括：所述第二传导性类型的注入器区(15、 17)，所述注入器区(15、17)从所述第一表面(51)延伸到所述半 导体层(6)、所述漂移区、所述体区和所述第一电流电极区中，所述 注入器区(15、17)用于当所述半导体器件被接通时接收激活信号， 以及用于响应于接收到所述激活信号，将向所述体区(12)迁移的所 述第二传导性类型的电荷载流子注入到所述漂移区和所述至少一个浮 置区(5、9)中以恢复耗尽区域，

所述漂移区和所述至少一个浮置区被布置为使得：当所述半导体 器件处于关断时，所述至少一个浮置区(5、9)和所述漂移区被完全 耗尽。

2.根据权利要求1所述的半导体器件装置，其中所述至少一个浮 置区(5、9)与所述第一电流电极区(16)和第二电流电极区(4)是 电隔离的并且在所述半导体器件接通期间充当连接到所述体区(12) 的体区。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件装置，其中，所述半导 体器件(11)是单极器件、垂直半导体器件、MOSFET器件和IGBT 器件之一。

4.根据权利要求1或2所述的半导体器件装置，进一步包括控制 电极(22)，用于控制通过在所述第一电流电极区(16)和所述第二 电流电极区(4)之间沟道的电流的流动。

5.根据权利要求4所述的半导体器件装置，包括控制电路，所述 控制电路被设置成在将所述控制信号提供到所述控制电极(22)之前， 将所述激活信号提供到所述注入器器件(13)。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件装置，其中所述半导体 器件包括多个基本元胞，每个基本元胞包括第一电流电极区(16)和 第二电流电极区(4)、漂移区和至少一个浮置区(5、9)，并且其中 所述半导体器件装置包括用于所述多个基本元胞的一个或多个注入器 器件。