[发明专利]磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录和再现装置有效
| 申请号： | 200680049808.2 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101351842A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 清水谦治 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667;G11B5/738 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种垂直磁记录介质A被设置在非磁性基底1上，至少具有软底层a、底膜5、中间膜6和垂直磁记录膜7。软磁底层a是具有非晶结构的软磁性膜。底膜5由Ni－W合金形成。中间膜6由Ru合金形成。在Ni－W合金中，Ni含量为80原子％或更大，而W含量为20原子％或更小，并且优选在1原子％至12原子％的范围内。装备有该磁记录介质A的磁记录和再现装置12的生产率优良，且能够记录和再现高密度信息。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 以及 使用 再现 装置 | ||
【主权项】：
1.一种在非磁性基底上设置的垂直磁记录介质，至少具有软底层、底膜、中间膜和垂直磁记录膜，其中所述软底层是具有非晶结构的软磁性膜，所述底膜由Ni-W合金形成，并且所述中间膜由Ru合金形成。
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