[发明专利]磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录和再现装置

说明书

相关申请的交叉引用 

本申请是基于35U.S.C.§111(a)提交的申请，根据35U.S.C.§119(e)(1)，要求根据35U.S.C.§111(b)于2006年1月4日提交的临时申请No.60/755,790和2005年12月27日提交的日本专利申请No.2005-373681的优先权。 

技术领域

本发明涉及一种磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录和再现装置，更具体地，涉及一种高记录密度的垂直磁记录介质。 

背景技术

垂直磁记录系统是一种合适的用于提高面记录密度的系统，这是因为，由于使得迄今位于介质的面内方向的磁记录层易磁化轴改变为位于介质的垂直方向的缘故，在构成相邻记录位之间的边界的磁化转变区附近的去磁场降低，因此当记录密度升高时，静磁稳定性提高，并且对热扰动的抵抗性相应地提高。 

当在基底和垂直磁记录膜之间插入由软磁性材料构成的软底层(softunder layer)时，所产生的产品能够起所谓的垂直两层介质的作用，并获得高记录能力。在这种情况下，软磁性的软底层执行使记录磁场从磁头回流的作用，并且能够提高记录和再现效率。 

一般地，作为底膜(under film)，已经提出了不同种类的材料。例如，可以列举具有hcp或fcc结构的Ti合金(例如，参考日本专利No.2669529)、Ni-Fe-Cr合金(例如，参考JP-A 2003-123239)等以及具有非晶结构的Ta 或其他元素。 

由于底膜是决定在其上层叠的中间层和磁记录层的粒径和取向的支配性因素，因此为了决定磁记录介质的记录和再现特性，底膜材料的选择证明是非常重要的。 

在软底层和磁性层之间的底膜的插入导致使得磁头和软底层表面之间的距离增大，增大量为底膜的厚度。因此，为了能够完全令人满意地进行写入，为软底层设置适当厚度成为必要。然而，由于底膜使用具有软磁性质的材料，其能够履行软底层的作用，并且控制在其上设置的中间层的结晶取向。 

迄今提出的介质结构不足以获得记录和再现特性优良的磁记录介质。因此，已经认可对解决这个问题且容易制造的磁记录介质的需要。 

本发明是鉴于该情况而提出的，并且旨在优化用于底膜的材料，从而提供一种生产率优良且能够记录和再现高密度信息的磁记录介质以及磁记录和再现装置。 

为了实现上述目标，本发明采用以下配置。 

发明内容

本发明的第一方面旨在一种在非磁性基底上设置的垂直磁记录介质，至少具有软底层、底膜、中间膜和垂直磁记录膜，其中所述软底层是具有非晶结构的软磁性膜，所述底膜由Ni-W合金形成，并且所述中间膜由Ru合金形成。 

在包括第一方面的配置的本发明的第二方面中，所述Ni-W合金具有80原子％或更大的Ni含量和20原子％或更小的W含量。 

在包括第一或第二方面的配置的本发明的第三方面中，所述Ni-W合金的W含量在1原子％至12原子％的范围内。 

在包括第一至第三方面中任何一方面的配置的本发明的第四方面中，所述Ni-W合金的饱和磁通密度Ms为50emu/cm³或更大。 

在包括第一至第四方面中任何一方面的配置的本发明的第五方面中， 包含在所述底膜中的Ni具有在Ni(111)中的晶格，所述中间膜具有在Ru(0002)中的晶格，并且所述晶格的Ni(111)/Ru(0002)比率在0.90至0.95的范围内。 

在包括第一至第五方面中任何一方面的配置的本发明的第六方面中，所述底膜还包含至少一种选自B、Mn、Si和Al的元素。 

在包括第一至第六方面中任何一方面的配置的本发明的第七方面中，所述底层的厚度为10nm或更小。 

在包括第一至第七方面中任何一方面的配置的本发明的第八方面中，所述Ru合金具有6°或更小的Δθ50。 

在包括第一至第八方面中任何一方面的配置的本发明的第九方面中，所述软磁性膜包含Co-Fe合金。 

在包括第一至第九方面中任何一方面的配置的本发明的第十方面中，所述Co-Fe合金的Fe含量在5原子％至40原子％的范围内。 

在包括第一至第十方面中任何一方面的配置的本发明的第十一方面中，所述软底层的膜厚度在20nm至80nm的范围内。 

在包括第一至第十一方面中任何一方面的配置的本发明的第十二方面中，所述中间膜的厚度为16nm或更小。