[发明专利]磁记录介质以及使用该磁记录介质的磁记录和再现装置

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，其在非磁性基底上至少具有软底层、底膜、中间膜和垂直磁记录膜，其中，

所述软底层是具有非晶结构的软磁性膜，所述底膜由Ni-W合金形成，并且所述中间膜由Ru合金形成，

在所述Ni-W合金中，其Ni含量为80原子％或更大，W含量在1原子％至12原子％的范围内，

所述底膜的厚度在1nm至10nm的范围内，

所述Ru合金具有6°或更小的Δθ50，所述Δθ50是表明垂直取向的(0002)面的发散。

2.根据权利要求1的磁记录介质，其中所述Ni-W合金的饱和磁通密度Ms为50emu/cm³或更大。

3.根据权利要求1或2的磁记录介质，其中所述底膜还包含至少一种选自B、Mn、Si和Al的元素。

4.根据权利要求1或2的磁记录介质，其中所述软磁性膜包含Co-Fe合金。

5.根据权利要求4的磁记录介质，其中所述Co-Fe合金的Fe含量在5原子％至40原子％的范围内。

6.根据权利要求1或2的磁记录介质，其中所述软底层的膜厚度在20nm至80nm的范围内。

7.根据权利要求1或2的磁记录介质，其中所述中间膜的厚度为16nm或更小。

8.一种磁记录和再现装置，包括磁头和根据权利要求1至7中任何一项的磁记录介质，所述磁头是单磁极磁头，以使信息能够记录在所述磁记录介质中和从所述磁记录介质再现。