[发明专利]铪系化合物、形成铪系薄膜的材料和形成铪系薄膜的方法有效
| 申请号： | 200680045244.5 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101341155A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 平木忠明;三桥智;太附圣;椿谷晓人;金炳洙;刘升镐 | 申请（专利权）人： | TRI化学研究所股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/00 | 分类号： | C07F7/00;C23C16/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴娟;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供常温下为液体并富有稳定性的铪系化合物。还提供可稳定供应原料、稳定形成高品质的铪系薄膜的技术。特别是提供为下述通式[I]表示的化合物的形成铪系薄膜的材料。通式[I]：LHf(NR1R2)3其中，L为环戊二烯基或取代的环戊二烯基；R1、R2为烷基，R1和R2彼此相同或不同。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 形成 薄膜 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.化合物，其特征在于：以下述通式[I]表示，通式[I]LHf(NR1R2)3 其中，L为环戊二烯基或取代的环戊二烯基；R1、R2为烷基，R1和R2 彼此不同或相同。
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