[发明专利]铪系化合物、形成铪系薄膜的材料和形成铪系薄膜的方法有效
| 申请号： | 200680045244.5 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101341155A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 平木忠明;三桥智;太附圣;椿谷晓人;金炳洙;刘升镐 | 申请（专利权）人： | TRI化学研究所股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/00 | 分类号： | C07F7/00;C23C16/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴娟;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 形成 薄膜 材料 方法 | ||
1.化合物，其特征在于：以下述通式[I]表示，
通式[I]
CpHf(NR1R2)3
其中，Cp为环戊二烯基；R1、R2为甲基或乙基，R1和R2彼此不同或相 同。
2.权利要求1的化合物，其特征在于：上述通式[I]表示的化合物 为选自CpHf(NMe2)3、CpHf(NMeEt)3的任一种，其中Cp＝环戊二烯基、 Me＝甲基、Et＝乙基。
3.下述通式[I]表示的化合物用于形成铪系薄膜的用途，
通式[I]
CpHf(NR1R2)3
其中，Cp为环戊二烯基；R1、R2为甲基或乙基，R1和R2彼此不同或相 同。
4.权利要求3的用途，其特征在于：上述通式[I]表示的化合物为 选自CpHf(NMe2)3、CpHf(NMeEt)3的任一种，其中Cp＝环戊二烯基、 Me＝甲基、Et＝乙基。
5.权利要求3的用途，其特征在于：上述通式[I]表示的化合物通 过化学气相生长方法形成铪系薄膜。
6.权利要求3的用途，其特征在于：上述通式[I]表示的化合物通 过原子层控制生长方法形成铪系薄膜。
7.形成铪系薄膜的材料，其特征在于：除了含有通式[I]表示的化 合物以外，还含有溶解通式[I]表示的化合物的溶剂，
通式[I]
CpHf(NR1R2)3
其中，Cp为环戊二烯基；R1、R2为甲基或乙基，R1和R2彼此不同或相 同。
8.权利要求7的形成铪系薄膜的材料，其特征在于：溶剂为一种 或两种以上选自碳原子数为5～40的烃系化合物和碳原子数为2～40的 胺系化合物的化合物。
9.形成铪系薄膜的方法，该方法利用化学气相生长方法于基板上 形成铪系薄膜，其特征在于：使用下述通式[I]表示的化合物，
通式[I]
CpHf(NR1R2)3
其中，Cp为环戊二烯基；R1、R2为甲基或乙基，R1和R2彼此不同或相 同。
10.权利要求9的形成铪系薄膜的方法，其特征在于：上述通式[I] 表示的化合物为选自CpHf(NMe2)3、CpHf(NMeEt)3的任一种，其中Cp ＝环戊二烯基、Me＝甲基、Et＝乙基。
11.权利要求9的形成铪系薄膜的方法，其特征在于：使用将上述 通式[I]表示的化合物溶解在溶剂中的溶液。
12.权利要求11的形成铪系薄膜的方法，其特征在于：溶剂为一 种或两种以上选自碳原子数为5～40的烃系化合物和碳原子数为2～40 的胺系化合物的化合物。
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