[发明专利]同一个衬底上具有相同导电类型的低和高性能器件的半导体器件结构无效
| 申请号： | 200680045213.X | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101322239A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | J·阿诺德;D·查尔达姆巴劳;李瑛;拉齐夫·马利克;施里施·纳拉西姆哈;S·潘达;B·特希尔;R·维斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供衬底(10)；在衬底上形成具有第一间隔件(SP)的第一栅极(G1)、具有第二间隔件(SP)的第二栅极(G2)、分别与第一栅极和第二栅极相邻的相同导电类型的各个源极(S)和漏极(D)区域、设置在第一栅极和第二栅极中间的隔离区域(STI)、以及在第一栅极、第二栅极和各个源极与漏极区域上的硅化物；在第一间隔件上形成附加间隔件(RSPS)，以产生中间结构，然后在整个中间结构上设置应力层。 | ||
| 搜索关键词： | 同一个 衬底 具有 相同 导电 类型 性能 器件 半导体器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作半导体器件结构的方法，包括：提供衬底；在衬底上形成具有第一间隔件的第一栅极、具有第二间隔件的第二栅极、分别与第一栅极和第二栅极相邻的相同导电类型的各个源极和漏极区域、设置在第一栅极和第二栅极中间的隔离区域、以及硅化物，所述硅化物位于第一栅极、第二栅极以及各个源极和漏极区域上；仅在第一间隔件上形成附加间隔件，以产生中间结构，然后在整个中间结构上设置应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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