[发明专利]在比超导温度Tc高的温度下操作超导体的方法

摘要

一种在T_c^*到T_c的范围的温度T_c(i)、在其超导态操作超导体的方法，其中T_c^*大于所述超导体的超导温度T_c，所述方法包含：冷却所述超导体到温度T_c以下；在超导体已经进入超导态后施加能量到所述超导体。所述能量对应于量子能量hv，其在小于E₀的最小能量到小于E₀的范围，其中E₀为所述超导体的两维激励结合能基态。然后冷却所述超导体到所选择的温度T_c(i)。所述最小能量为E₀的8/9。

主权项

1.一种在Tc*到Tc的范围的温度Tc(i)、在其超导态操作超导体的方法，其中Tc*大于所述超导体的超导温度Tc，所述方法包含：冷却所述超导体到温度Tc以下；在超导体已经进入超导态后施加能量到所述超导体，所述能量对应于量子能量hv，其在小于E0的最小能量到小于E0的范围，其中E0为所述超导体的两维激励结合能基态；以及冷却所述超导体到所选择的温度Tc(i)。