[发明专利]在比超导温度Tc高的温度下操作超导体的方法

权利要求书

1.一种在T_c^*到T_c的范围的温度T_c(i)、在其超导态操作超导体的方法，其中T_c^*大于所述超导体的超导温度T_c，所述方法包含：

初始冷却所述超导体到温度T_c以下；

在超导体已经进入超导态后施加能量到所述超导体，所述能量对应于量子能量hv，其在E₀的8/9到小于E₀的范围，其中E₀为所述超导体的两维激励结合能基态；以及

随后冷却所述超导体到所选择的温度T_c(i)。

2.权利要求1所述的方法，其中所述能量由光源施加。

3.权利要求1所述的方法，其中能量以脉冲施加。

4.权利要求1所述的方法，其中所述超导体在温度T_c或更低的温度下冷却，直到产生了足够数量的稳定全局局域化激子来维持所述超导态。

5.权利要求1所述的方法，其中在所述初始冷却的温度升高到T_c以上之前施加所述能量。

6.权利要求1所述的方法，其中在所述初始冷却的温度升高到T_c以上并且在失去超导态之前施加所述能量。

7.权利要求1所述的方法，其中E₀是空穴密度的分数n的函数，其空穴密度的分数n随着超导材料变化而变化。