[发明专利]金属硅酸盐膜的形成方法以及记录介质无效
| 申请号： | 200680038222.6 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101288161A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 青山真太郎;高桥毅;下村晃司;有贺美辉 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在硅基板上形成高介电体膜的方法，该方法包括：对所述硅基板表面进行稀氟酸处理的工序；在所述稀氟酸处理工序之后，向所述硅基板表面供给含有Hf和氮的有机金属原料，进行HfN的核形成的工序；以及在所述核形成工序之后，向所述硅基板表面供给含Hf的有机金属原料和含Si的有机原料，利用CVD法形成硅酸Hf膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 硅酸盐 形成 方法 以及 记录 介质 | ||
【主权项】：
1.一种高介电体膜的成膜方法，用于在硅基板上形成高介电体膜，其特征在于，包括：对所述硅基板表面进行稀氟酸处理的工序；在所述稀氟酸处理工序之后，向所述硅基板表面供给含有Hf和氮的有机金属原料，进行HfN的核形成的工序；以及在所述核形成工序之后，向所述硅基板表面供给含Hf的有机金属原料和含Si的有机原料，利用CVD法形成硅酸Hf膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
