[发明专利]金属硅酸盐膜的形成方法以及记录介质

权利要求书

1.一种高介电体膜的成膜方法，用于在硅基板上形成高介电体膜，其特征在于，包括：

对所述硅基板表面进行稀氟酸处理的工序；

在所述稀氟酸处理工序之后，向所述硅基板表面供给含有Hf和氮的有机金属原料，进行HfN的核形成的工序；以及

在所述核形成工序之后，向所述硅基板表面供给含Hf的有机金属原料和含Si的有机原料，利用CVD法形成硅酸Hf膜的工序。

2.如权利要求1所述的高介电体膜的成膜方法，其特征在于：

所述HfN的核形成工序在400℃以下的温度下实施。

3.如权利要求1所述的高介电体膜的成膜方法，其特征在于：

所述含有Hf和氮的有机金属原料由铪的酰胺化合物构成。

4.如权利要求1所述的高介电体膜的成膜方法，其特征在于：

所述HfN的核形成工序包括使作为所述含有Hf和氮的有机金属原料的四(二乙胺基)铪沿着所述硅基板表面流动的工序。

5.如权利要求1所述的高介电体膜的成膜方法，其特征在于：

还包括在所述HfN的核形成工序之后，在所述硅酸Hf膜的成膜之前，利用紫外光激励氧自由基对所述硅基板表面进行氧化，形成硅氧化膜的工序。

6.如权利要求5所述的高介电体膜的成膜方法，其特征在于：

还包括利用被等离子体激励的氮自由基对所述硅氧化膜的至少表面部分进行氮化的工序。

7.如权利要求1所述的高介电体膜的成膜方法，其特征在于：

形成所述硅酸Hf膜的CVD工序，在向所述硅基板表面供给分别作为含Hf的有机金属原料和含Si的有机原料的叔丁氧基铪和四乙氧基硅烷的同时来进行。

8.如权利要求1所述的高介电体膜的成膜方法，其特征在于：

所述CVD工序在400℃以上的温度下实施。

9.如权利要求1所述的高介电体膜的成膜方法，其特征在于：

包括在所述CVD工序之后，对所述介电体膜进行等离子体氮化的工序。

10.如权利要求1所述的高介电体膜的成膜方法，其特征在于：

所述核生成工序在第一处理容器内实施，所述CVD工序在作为第二处理容器的另外的处理容器内实施。

11.如权利要求1所述的高介电体膜的成膜方法，其特征在于：

所述核生成工序和CVD工序在同一处理容器中在各自的基板温度下实施。

12.一种计算机可读记录介质，记录有利用通用计算机对基板处理装置进行控制，使所述基板处理装置实施在硅基板上形成高介电体膜的成膜处理的程序，其特征在于，所述高介电体膜的成膜处理包括：

对所述硅基板表面进行稀氟酸处理的工序；

在所述稀氟酸处理工序之后，向所述硅基板表面供给含有Hf和氮的有机金属原料，进行HfN的核形成的工序；以及

在所述核形成工序之后，向所述硅基板表面供给含Hf的有机金属原料和含Si的有机原料，利用CVD法形成硅酸Hf膜的工序。

13.如权利要求12所述的计算机可读记录介质，其特征在于：

所述HfN的核形成工序在400℃以下的温度下实施。

14.如权利要求12所述的计算机可读记录介质，其特征在于：

所述含有Hf和氮的有机金属原料由铪的酰胺化合物构成。

15.如权利要求12所述的计算机可读记录介质，其特征在于：

所述HfN的核形成工序包括使作为所述含有Hf和氮的有机金属原料的四(二乙胺基)铪沿着所述硅基板表面流动的工序。

16.如权利要求12所述的计算机可读记录介质，其特征在于：

还包括在所述HfN的核形成工序之后，在所述硅酸Hf膜的成膜之前，利用紫外光激励氧自由基对所述硅基板表面进行氧化，形成硅氧化膜的工序。

17.如权利要求16所述的计算机可读记录介质，其特征在于：

还包括利用被等离子体激励的氮自由基对所述硅氧化膜的至少表面部分进行氮化的工序。