[发明专利]用于编程/擦除非易失性存储器的方法和设备有效
| 申请号： | 200680032778.4 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101297372A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 马丁·L·尼塞;安德鲁·W·哈德尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;G11C16/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 能被优化以用于数据保持能力或耐擦写能力的非易失性存储器(NVM)被分成部分(40，41)，这些部分被优化用于一个部分(40)或另一个部分(41)的存储特性或可能某些其它存储特性。对于被分配以用于数据保持能力的部分(40)，存储单元(32)被擦除至相对较大的范围。对于被分配以用于高耐擦写能力(41)的部分，存储单元(32)被擦除至相对较小的范围。这可以通过简单地提高(81)参考电流的水平方便地实现，该参考电流被用于确定对于所述高数据保持能力单元(40)是否已经充分擦除了单元。因此较高的耐擦写能力单元(41)将典型地比用于高数据保持能力的存储单元(40)接收更少的擦除脉冲。较高的耐擦写能力的单元(41)的减少的擦除需求导致所述高耐擦写能力单元(41)中总的更快的擦除和更小的压力，在产生高擦除电压的电路(31)上也如此。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 编程 擦除 非易失性存储器 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于编程/擦除非易失性存储器(NVM)的方法，包括：定义所述NVM的第一部分，以用于具有第一存储特性；定义所述NVM的第二部分，以用于具有不同于所述第一存储特性的第二存储特性；在所述第一部分上执行编程/擦除操作，与实现所述第二存储特性相比，该操作更有利于实现所述第一存储特性；和在所述第二部分上执行编程/擦除操作，与实现所述第一存储特性相比，该操作更有利于实现所述第二存储特性。
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