[发明专利]用于编程/擦除非易失性存储器的方法和设备

权利要求书

1.一种用于编程/擦除非易失性存储器的方法，包括：

使用保持/耐擦写控制电路，定义所述非易失性存储器的第一部分 ，以用于具有第一存储特性；

使用所述保持/耐擦写控制电路，定义所述非易失性存储器的第二 部分，以用于具有不同于所述第一存储特性的第二存储特性；

在所述第一部分上执行编程/擦除操作，与实现所述第二存储特性 相比，该操作更有利于实现所述第一存储特性，其中在所述第一部分 上的所述编程/擦除操作提供第一编程/擦除裕度；和

在所述第二部分上执行编程/擦除操作，与实现所述第一存储特性 相比，该操作更有利于实现所述第二存储特性，

其中，所述第一存储特性是耐擦写能力，所述第二存储特性是保 持能力，

其中在所述第二部分上的所述编程/擦除操作提供第二编程/擦除 裕度，其中所述第二编程/擦除裕度大于所述第一编程/擦除裕度。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

定义所述非易失性存储器的第三部分，以用于具有第三存储特性； 以及

在所述第三部分上执行编程/擦除操作，与实现所述第一存储特性 相比，该操作更有利于实现所述第三存储特性，以及与实现所述第二 存储特性相比，该操作更有利于实现所述第三存储特性。

3.如权利要求2所述的方法，其中：

所述第三存储特性是耐擦写能力和数据保持能力的结合。

4.如权利要求1所述的方法，其中：

所述非易失性存储器包括存储器阵列；

所述第一部分包括所述存储器阵列的第一多个存储器单元；

所述第二部分包括所述存储器阵列的第二多个存储器单元；

在所述第一部分上的所述编程/擦除操作包括擦除操作，在该擦除 操作中所述第一多个存储器单元中的每个存储器单元具有与第一水平 的参考电流相比较的电流；以及

在所述第二部分上的所述编程/擦除操作包括擦除操作，在该擦 除操作中所述第二多个存储器单元中的每个存储器单元具有与第二水 平的参考电流相比较的电流，其中所述第二水平不同于所述第一水平。

5.一种非易失性存储器，包括：

非易失性存储器阵列；

控制电路装置，用于定义所述非易失性存储器阵列的第一部分， 以具有第一存储特性，以及定义所述非易失性存储器阵列的第二部分， 以具有不同于所述第一特性的第二存储特性；和

编程/擦除装置，用于执行在所述第一部分上的编程/擦除操作，与 实现所述第二存储特性相比，该操作更有利于实现所述第一存储特性， 以及执行在所述第二部分上的编程/擦除操作，与实现所述第一存储特 性相比，该操作更有利于实现所述第二存储特性，

其中，所述第一存储特性是耐擦写能力，所述第二存储特性是保 持能力，

其中在所述第一部分上的所述编程/擦除操作提供第一编程/擦除 裕度；以及

在所述第二部分上的所述编程/擦除操作提供第二编程/擦除裕度， 其中所述第二编程/擦除裕度大于所述第一编程/擦除裕度。