[发明专利]半导体装置、测试模式控制电路无效
| 申请号： | 200680031893.X | 申请日： | 2006-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101253413A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 吉冈和树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，即使非易失性存储器所存储的测试模式控制标志的数据因故障等而发生位数变化，也可以充分地确保安全性，并且不使制造时的成品率降低。本发明的半导体装置，包括：非易失性存储器(1)，在规定地址记忆测试模式控制码；产生部(3)，产生示出测试模式的禁止/允许的固定值；以及汉明距离判断电路(4)，按照所述控制码和所述固定值之间的汉明距离是否在规定数以下，控制向所述测试模式的转移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 测试 模式 控制电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，具有测试模式，其特征在于，包括：非易失性存储器，在规定地址记忆控制码；产生单元，产生固定值；以及控制单元，按照所述控制码和所述固定值之间的汉明距离是否在规定数以下，控制向所述测试模式的转移。
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