[发明专利]超小型触点及其制造方法和电子部件有效

专利信息
申请号: 200680030749.4 申请日: 2006-08-23
公开(公告)号: CN101248556A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 森内裕之;大森英男;清水春树 申请(专利权)人: 第一电子工业株式会社
主分类号: H01R4/02 分类号: H01R4/02;H01R12/04;H01R12/32;H01R43/16;H05K1/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈英俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种超小型触点及其制造方法和电子部件,在将端子部钎焊接合到基板时,能够在触点的中间部简单且精度良好地形成可以使焊料爬越停止在规定位置的氧化露出表面。本发明的触点由导电性基体材料、形成在其上的衬底表面处理层和上侧表面处理层构成,其包括接触部(2)、端子部(3)和中间部(4),在中间部(4)内沿其全周形成衬底表面处理层的氧化露出表面(5)。上述氧化露出表面(5)通过分别以规定的倾斜角度(θa、θb)向触点(1)的表面和背面(1a、1b)照射激光,同时进行上侧表面处理层的除去和因该除去而露出的宽度狭窄的衬底表面处理层的氧化而形成。该超小型触点为全长在10mm以下的触点。
搜索关键词: 超小型 触点 及其 制造 方法 电子 部件
【主权项】:
1.一种超小型触点,其特征在于,由导电性基体材料、形成在其上的衬底表面处理层和上侧表面处理层构成,包括:接触部,与对方连接器电气接触;端子部,通过钎焊接合与其他基板电气连接;以及中间部,连接在这些接触部与端子部之间;在所述中间部内沿其全周形成衬底表面处理层的氧化露出表面;通过以规定的倾斜角度分别向触点的表面和背面照射激光,同时进行上侧表面处理层的除去和因该除去而露出的宽度狭窄的衬底表面处理层的氧化,从而形成所述氧化露出表面。
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