[发明专利]超小型触点及其制造方法和电子部件

权利要求书

1.一种超小型触点的制造方法，其特征在于，

该超小型触点由导电性基体材料、形成在该导电性基体材料之上的衬底表面处理层和上侧表面处理层构成，包括：接触部，与对方连接器电接触；端子部，通过钎焊接合与其他基板电连接；以及中间部，连接在上述接触部与上述端子部之间，在该超小型触点的所述中间部内形成有衬底表面处理层的氧化露出表面；

利用分别离开上述触点的表面和背面而配置的成对的激光装置，以25mJ/mm²～45mJ/mm²的能量密度、规定的倾斜角度向上述触点的表面和一个横向端面照射来自一个激光装置的激光，并且以25mJ/mm²～45mJ/mm²的能量密度、规定的倾斜角度向上述触点的背面和另一个横向端面照射来自另一个激光装置的激光，对上述触点的中间部内的全周进行上侧表面处理层的除去，同时对因该除去而露出的宽度狭窄的衬底表面处理层进行氧化，从而形成所述氧化露出表面。

2.如权利要求1所述的超小型触点的制造方法，其特征在于，

所述中间部的宽度在5mm以下。

3.如权利要求1所述的超小型触点的制造方法，其特征在于，

所述中间部内部的氧化露出表面的宽度在0.1mm～1.0mm的范围内。

4.如权利要求1所述的超小型触点的制造方法，其特征在于，

衬底表面处理层是镀镍层，接触部和中间部的上侧表面处理层都是镀金层，端子部的上侧表面处理层是焊锡镀层或镀金层。

5.如权利要求1所述的超小型触点的制造方法，其特征在于，

所述规定的倾斜角度是能够激光照射端子的侧面和表面这两个面的范围。

6.一种电子部件，其特征在于，具备：

多个利用上述权利要求1～5中任一项所述的制造方法而制造出的超小型触点；以及

以规定间隔排列了该触点的壳体。

7.一种超小型触点，其特征在于，

该超小型触点是利用上述权利要求1～5中任一项所述的制造方法而制造出的超小型触点。