[发明专利]鳍片型场效应晶体管有效
| 申请号： | 200680028575.8 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101443912A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | E·J·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/06;H01L29/76;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于 静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 这里公开了改善的鳍片型场效应管(鳍片FET)结构(100)以及制造所述结构的相关方法。在一个实施例中，通过非对称地配置所述鳍片FET(100)来减小栅极(120)与源极区域(101)之间的电阻和减小栅极(120)与漏极区域(102)之间的电容，来优化鳍片FET驱动电流。在另一实施例中，通过镇流鳍片FET(300)，来避免器件在高电压下损坏。具体而言，优化栅极(320)与源极区域(301)和漏极区域(302)两者之间的鳍片(350)的电阻(例如，通过增加鳍片长度(383)，通过使鳍片(350)免受源极/漏极注入，以及通过防止在鳍片的顶表面(395)上形成硅化物)，以便鳍片FET(300)在预定的最大电压下是可操作的。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍片型 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种鳍片型场效应晶体管，包括：源极区域；漏极区域；半导体鳍片，从所述源极区域延伸到所述漏极区域；以及栅极导体，在所述源极区域与所述漏极区域之间邻近所述半导体鳍片，其中在所述源极区域与所述栅极导体之间的所述半导体鳍片的第一电阻小于在所述栅极导体与所述漏极区域之间的所述半导体鳍片的第二电阻，以及其中在所述源极区域与所述栅极导体之间的第一电容大于在所述栅极导体与所述漏极区域之间的第二电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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