[发明专利]鳍片型场效应晶体管

权利要求书

1.一种鳍片型场效应晶体管，包括：

源极区域；

漏极区域；

半导体鳍片，从所述源极区域延伸到所述漏极区域；以及

栅极导体，在所述源极区域与所述漏极区域之间邻近所述半导体鳍片，

其中在所述源极区域与所述栅极导体之间的所述半导体鳍片的第一电阻小于在所述栅极导体与所述漏极区域之间的所述半导体鳍片的第二电阻，以及

其中在所述源极区域与所述栅极导体之间的第一电容大于在所述栅极导体与所述漏极区域之间的第二电容。

2.根据权利要求1的晶体管，其中所述栅极导体更接近所述源极区域而不是所述漏极区域。

3.根据权利要求1的晶体管，其中所述栅极导体距所述源极区域和所述漏极区域的距离相等。

4.根据权利要求3的晶体管，其中所述半导体鳍片还包括：

第一部分，在所述栅极导体与所述源极区域之间；以及

第二部分，在所述栅极导体与所述漏极区域之间，

其中所述第一部分和所述第二部分中的每一个包括：

内部部分，邻近所述栅极导体；以及

外部部分，邻近所述内部部分，

其中所述内部部分比所述外部部分窄并且其中所述第二部分的所述内部部分比所述第一部分的所述内部部分长。

5.根据权利要求4的晶体管，其中所述第二部分的所述内部部分的长度是至少三倍的所述第一部分的所述内部部分的长度。

6.一种鳍片型场效应晶体管，包括：

源极区域；

漏极区域；

半导体鳍片，从所述源极区域延伸到所述漏极区域；以及

栅极导体，在所述源极区域和所述漏极区域之间邻近所述半导体鳍片，

其中所述半导体鳍片包括：

第一部分，在所述源极区域与所述栅极导体之间，以及

第二部分，在所述栅极导体与所述漏极区域之间，

其中所述第一部分和所述第二部分每一个包括邻近所述栅极导体的内部部分，所述内部部分具有相同的宽度和相同的长度，以及

其中所述相同的长度大于三倍的所述相同的宽度并在所述内部部分内提供电阻以便所述晶体管可以在预定的最大电压下是可操作的。

7.根据权利要求6的晶体管，其中所述内部部分每一个具有对应的顶表面，所述顶表面没有邻近的硅化物层。

8.根据权利要求6的晶体管，还包括在所述源极区域、所述漏极区域以及所述半导体鳍片中的掺杂剂，其中在所述源极区域和所述漏极区域中的所述掺杂剂的浓度比在所述半导体鳍片中的所述掺杂剂的浓度高。

9.根据权利要求6的晶体管，其中所述第一部分和所述第二部分每一个还包括邻近所述内部部分的外部部分，其中所述外部部分比所述内部部分宽。

10.根据权利要求6的晶体管，还包括在所述源极区域与所述漏极区域之间的多个所述半导体鳍片，其中所述半导体鳍片中的每一个半导体鳍片的所述电阻保护所述晶体管不会热失控和损坏。

11.一种制造鳍片型场效应晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：

形成源极区域和漏极区域；

形成半导体鳍片，所述半导体鳍片从所述源极区域延伸到所述漏极区域；以及

在所述源极区域与所述漏极区域之间邻近所述半导体鳍片形成栅极导体，

其中形成所述半导体鳍片和所述栅极导体使在所述源极区域与所述栅极导体之间的所述半导体鳍片的第一部分的第一电阻小于在所述栅极导体与所述漏极区域之间的所述半导体鳍片的第二部分的第二电阻和所述源极区域与所述栅极导体之间的第一电容大于所述栅极导体与所述漏极区域之间的第二电容。

12.根据权利要求11的方法，其中邻近所述半导体鳍片形成所述栅极导体以便所述栅极导体更接近所述源极区域而不是所述漏极区域。

13.根据权利要求11的方法，其中在距所述源极区域和所述漏极区域的距离相等的位置处邻近所述半导体鳍片形成所述栅极，以及其中所述方法还包括调整所述第一部分和所述第二部分的尺寸以改变所述第一电阻和所述第二电阻。