[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200680027861.2 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101233531A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;渡边了介;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077;G06K19/07;H01L21/60;H01L21/768;H01L27/12;H01L29/786;H01Q23/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种半导体装置的制造方法，其包括：在第一衬底上形成晶体管的过程；在所述晶体管上形成第一绝缘层的过程；形成连接至所述晶体管的源极或漏极的第一导电层的过程；布置设有第二绝缘层的第二衬底，从而使所述第一绝缘层附着至所述第二绝缘层的过程；使所述第二绝缘层与所述第二衬底分离的过程；以及布置设有起着天线作用的第二导电层的第三衬底，从而使所述第一导电层电连接至所述第二导电层的过程。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：在第一衬底上形成晶体管；在所述晶体管上形成第一绝缘层；形成与所述晶体管的源极或漏极连接的第一导电层；布置设有第二绝缘层的第二衬底，从而使所述第一绝缘层附着至所述第二绝缘层上；将所述第二衬底从所述第二绝缘层上分离下来；以及布置设有各向异性导电层和起着天线作用的第二导电层的第三衬底，从而将所述第一导电层通过所述各向异性导电层电连接至所述第二导电层。
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