[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置。所述半导体装置包括晶体管。

背景技术

近年来，能够进行无线数据收发的半导体装置得到了长足的发展。将这样的半导体装置称为RFID(射频识别)、RF芯片、RF标志、IC芯片、IC标志、IC标签、无线芯片、无线标志、电子芯片、电子标志、无线处理器、无线存储器等(例如，参考专利文献1：日本专利特开公开文本No.2004-282050)，并且所述半导体装置已经被引入到了某些领域。将能够进行无线数据收发的半导体装置大致分为两类：采用在其内既提供了晶体管又提供了天线的衬底的半导体装置和采用设有晶体管的第一衬底和设有天线的第二衬底的半导体装置。

发明内容

本发明的目的在于提供一种通过提高强度而提高了可靠性的半导体装置。此外，本发明的另一目的在于提供一种通过提高强度而实现了高附加值的半导体装置。此外，本发明的另一目的在于提高半导体装置的生产率。

本发明的半导体装置以设置于包括多个晶体管的叠置体和设有导电层的衬底之间的具有10μm到300μm的厚度的绝缘层(又称为保护层或缓冲层)为特征。由此能够提高强度和可靠性。此外，通过提高强度能够提高可靠性，并且能够实现高附加值。

本发明的半导体装置具有晶体管、形成于所述晶体管上的第一绝缘层、通过形成于所述第一绝缘层内的开口部分与所述晶体管的源极或漏极连接的第一导电层、形成于所述第一绝缘层和所述第一导电层上的第二绝缘层、形成于所述第二绝缘层上的第二导电层以及形成于所述第二绝缘层和所述第二导电层上的衬底。所述第一导电层通过设置于所述第二绝缘层内的开口部分与所述第二导电层电连接。此外，所述第二绝缘层的厚度为10μm到300μm，更优选为50μm到300μm。

在上述结构中，第一导电层对应于源极线路或漏极线路。此外，所述第二导电层起着连接线的作用。此外，所述第二导电层起着天线的作用。此外，所述第二绝缘层(又称为保护层或缓冲层)为硅酮、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、丙烯酸、聚氯乙烯、聚缩醛、聚酰胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚乙烯萘亚甲酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚酰胺亚胺、聚甲基戊烯、酚、脲、三聚氰胺、环氧树脂、邻苯二甲酸二丙烯酯、聚酰亚胺或聚氨酯。

本发明的半导体装置的制造方法包括：在第一衬底上形成晶体管的过程；在所述晶体管上形成第一绝缘层的过程；形成通过形成于所述第一绝缘层内的开口部分连接至所述晶体管的源极或漏极的第一导电层的过程；在所述第一绝缘层上布置具有第二绝缘层的第二衬底，从而使所述第一绝缘层接合至所述第二绝缘层的过程；使所述第一衬底、第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层从所述衬底上分离下来的过程；以及布置具有设置于所述第二绝缘层上的各向异性导电层和起着天线作用的第二导电层的第三衬底，从而使所述第一导电层通过所述各向异性导电层与所述第二导电层电连接的过程。

本发明的半导体装置的制造方法包括：在第一衬底上形成晶体管的过程；在所述晶体管上形成第一绝缘层的过程；形成通过形成于所述第一绝缘层内的开口部分连接至所述晶体管的源极或漏极的第一导电层的过程；在所述第一绝缘层上布置具有第二绝缘层的第二衬底，从而使所述第一绝缘层接合至所述第二绝缘层的过程；使所述第一衬底、第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层从所述衬底上分离下来的过程；以及布置具有设置于所述第二绝缘层上的各向异性导电层和起着天线作用的第二导电层的第三衬底，从而使所述第一导电层通过所述各向异性导电层与所述第二导电层电连接的过程。

根据具有上述结构的本发明，能够提供一种具有提高的强度和可靠性的半导体装置。此外，通过提高强度，能够提供一种实现了高附加值的半导体装置。此外，根据具有上述结构的本发明，能够提供一种具有提高的生产率的半导体装置的制造方法。

附图说明

图1A和1B示出了本发明的半导体装置及其制造方法；

图2A和2B示出了本发明的半导体装置及其制造方法；

图3A到3C示出了本发明的半导体装置及其制造方法；

图4A到4C示出了本发明的半导体装置及其制造方法；

图5示出了层压装置；

图6A和6B示出了本发明的半导体装置及其制造方法；

图7A和7B示出了本发明的半导体装置及其制造方法；

图8A到8C示出了本发明的半导体装置及其制造方法；

图9A和9B示出了层压装置；

图10A到10D示出了设有导电层的衬底；

图11示出了一种半导体装置；以及

图12A到12E示出了半导体装置。

具体实施方式