[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200680027861.2 | 申请日： | 2006-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101233531A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;渡边了介;小山润 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G06K19/077 | 分类号： | G06K19/077;G06K19/07;H01L21/60;H01L21/768;H01L27/12;H01L29/786;H01Q23/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：
在第一衬底上形成晶体管；
在所述晶体管上形成第一绝缘层；
形成与所述晶体管的源极或漏极连接的第一导电层；
布置设有第二绝缘层的第二衬底，从而使所述第一绝缘层附着至所述第二绝缘层上；
将所述第二衬底从所述第二绝缘层上分离下来；以及
布置设有各向异性导电层和起着天线作用的第二导电层的第三衬底，从而将所述第一导电层通过所述各向异性导电层电连接至所述第二导电层。
2.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：
在第一衬底上形成晶体管；
在所述晶体管上形成第一绝缘层；
形成与所述晶体管的源极或漏极连接的第一导电层；
布置设有第二绝缘层的第二衬底，从而使所述第一绝缘层附着至所述第二绝缘层上；
将所述第二衬底从所述第二绝缘层上分离下来；以及
布置设有凸块和起着天线作用的第二导电层的第三衬底，从而将所述第一导电层通过所述凸块电连接至所述第二导电层。
3.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：
在第一衬底上形成晶体管；
在所述晶体管上形成第一绝缘层；
形成与所述晶体管的源极或漏极连接的第一导电层；
布置设有具有开口部分的第二绝缘层的第二衬底，从而使所述第一绝缘层附着到所述第二绝缘层上；
将所述第二衬底从所述第二绝缘层上分离下来；以及
布置设有各向异性导电层和起着天线作用的第二导电层的第三衬底，从而将所述第一导电层通过所述开口部分和所述各向异性导电层电连接至所述第二导电层。
4.一种半导体装置的制造方法，其包括的步骤有：
在第一衬底上形成晶体管；
在所述晶体管上形成第一绝缘层；
形成与所述晶体管的源极或漏极连接的第一导电层；
布置设有具有开口部分的第二绝缘层的第二衬底，从而使所述第一绝缘层附着到所述第二绝缘层上；
将所述第二衬底从所述第二绝缘层上分离下来；以及
布置设有凸块和起着天线作用的第二导电层的第三衬底，从而将所述第一导电层通过所述开口部分和所述凸块电连接至所述第二导电层。
5.根据权利要求1到4中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一绝缘衬底为玻璃衬底。
6.根据权利要求1到4中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二衬底具有柔软性。
7.根据权利要求1到4中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二绝缘层的厚度为10μm到300μm。
8.根据权利要求1到4中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二绝缘层包括树脂。
9.根据权利要求1到4中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第二绝缘层包括硅酮、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、丙烯酸、聚氯乙烯、聚缩醛、聚酰胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚乙烯萘亚甲酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰胺亚胺、聚甲基戊烯、酚、脲、三聚氰胺、环氧树脂、邻苯二甲酸二丙烯酯、聚酰亚胺或聚氨酯。
10.根据权利要求1到4中的任何一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第三衬底具有柔软性。
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