[发明专利]具有不同厚度栅极氧化物的ESD结构

摘要

一种在集成电路装置的输出端具有增加的耐电压力的静电放电(ESD)结构具有与较厚的栅极氧化物层MOS装置串联耦合的薄栅极氧化物层金属氧化物半导体(MOS)装置。所述薄栅极氧化物层MOS装置可由所述集成电路的低电压控制电路控制。所述较厚栅极氧化物层MOS装置可耦合到所述集成电路装置的输出，或者双极晶体管可耦合在所述集成电路装置的输出与所述较厚栅极氧化物层MOS装置之间。所述薄栅极氧化物层与较厚的栅极氧化物层MOS装置可串联耦合。

主权项

1.一种在集成电路的输出端具有增加的耐电压力的静电放电(ESD)结构，其包括：至少一个第一金属氧化物半导体(MOS)装置，其具有薄栅极氧化物层，其中所述至少一个第一MOS装置由低电压控制；至少一个第二MOS装置，其与所述至少一个第一MOS装置的所述薄栅极氧化物层相比具有较厚的栅极氧化物层；集成电路的输出端，其中所述至少一个第二MOS装置耦合在所述至少一个第一MOS装置与所述集成电路的所述输出端之间；其中所述至少一个第一和第二MOS装置相互交叉，以形成用于所述输出端处的静电放电保护的寄生双极晶体管。