[发明专利]具有不同厚度栅极氧化物的ESD结构无效
| 申请号： | 200680024750.6 | 申请日： | 2006-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101218675A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 兰迪·亚奇;菲利普·德瓦尔 | 申请（专利权）人： | 密克罗奇普技术公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 不同 厚度 栅极 氧化物 esd 结构 | ||
1.一种在集成电路的输出端具有增加的耐电压力的静电放电(ESD)结构，其包括：
至少一个第一金属氧化物半导体(MOS)装置，其具有薄栅极氧化物层，其中所述至少一个第一MOS装置由低电压控制；
至少一个第二MOS装置，其与所述至少一个第一MOS装置的所述薄栅极氧化物层相比具有较厚的栅极氧化物层；
集成电路的输出端，其中所述至少一个第二MOS装置耦合在所述至少一个第一MOS装置与所述集成电路的所述输出端之间；
其中所述至少一个第一和第二MOS装置相互交叉，以形成用于所述输出端处的静电放电保护的寄生双极晶体管。
2.根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一MOS装置是多个第一MOS装置，所述至少一个第二装置是多个第二MOS装置，所述多个第一MOS装置中的每一者并联连接，且所述多个第二MOS装置中的每一者并联连接。
3.根据权利要求2所述的ESD结构，其中所述多个第一和第二MOS装置相互交叉，以形成用于所述输出端处的静电放电保护的寄生双极晶体管。
4.根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一MOS装置与所述至少一个第二MOS装置串联连接。
5.根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二MOS装置形成在所述集成电路的衬底上。
6.根据权利要求1所述的ESD结构，其进一步包括耦合在所述输出端与所述至少一个第二MOS装置之间的双极晶体管。
7.根据权利要求6所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二MOS装置与所述双极晶体管形成在所述集成电路的衬底上。
8.根据权利要求6所述的ESD结构，其中所述双极晶体管是PNP双极晶体管。
9.根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二MOS装置是P沟道MOS装置。
10.根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二MOS装置是N沟道MOS装置。
11.根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二MOS装置是增强模式MOS装置。
12.根据权利要求13所述的ESD结构，其中所述至少一个第一和第二MOS装置是耗尽模式MOS装置。
13.根据权利要求1所述的ESD结构，其中所述低电压控制电路为3伏或3伏以下。
14.一种集成电路，其具有至少一个输出端，其在所述输出端拥有具有增加的耐电压力的静电放电(ESD)结构，其包括：
双极晶体管，其耦合到集成电路的输出端；
至少一个第一金属氧化物半导体(MOS)装置，其具有薄栅极氧化物层，其中所述至少一个第一MOS装置由低电压控制；
至少一个第二MOS装置，其与所述至少一个第一MOS装置的所述薄栅极氧化物层相比具有较厚的栅极氧化物层，其中所述至少一个第二MOS装置耦合在所述至少一个第一MOS装置与所述双极晶体管之间；
其中所述至少一个第一和第二MOS装置相互交叉，以形成用于所述双极晶体管处的静电放电保护的寄生双极晶体管。
15.根据权利要求14所述的集成电路，其中所述至少一个第一MOS装置是多个第一MOS装置，所述至少一个第二装置是多个第二MOS装置，所述多个第一MOS装置中的每一者并联连接，且所述多个第二MOS装置中的每一者并联连接。
16.根据权利要求15所述的集成电路，其中所述多个第一和第二MOS装置相互交叉，以形成用于所述双极晶体管处的静电放电保护的寄生双极晶体管。
17.根据权利要求14所述的集成电路，其中所述至少一个第一MOS装置与所述至少一个第二MOS装置串联连接。
18.根据权利要求14所述的集成电路，其中所述至少一个第一和第二MOS装置与所述双极晶体管形成在所述集成电路的衬底上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
