[发明专利]用于临界尺寸缩减和节距缩减的系统及方法有效
| 申请号： | 200680024154.8 | 申请日： | 2006-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101213488A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·沙拉安 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F9/00;G03C5/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成特征的方法，包括在下层上形成第一材料的掩模，该掩模具有未修正的形貌。修正该掩模的形貌，并且在该下层中形成特征。还公开了一种用于形成特征的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 临界 尺寸 缩减 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成特征的方法，包括：在下层上形成第一材料的掩模，所述掩模具有未修正的形貌；修正所述掩模的形貌；以及在所述下层中形成特征。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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