[发明专利]用于临界尺寸缩减和节距缩减的系统及方法有效
| 申请号： | 200680024154.8 | 申请日： | 2006-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101213488A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·沙拉安 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F9/00;G03C5/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 临界 尺寸 缩减 系统 方法 | ||
1.一种形成特征的方法，包括：
在下层上形成第一材料的掩模，所述掩模具有未修正的形貌；
修正所述掩模的形貌；以及
在所述下层中形成特征。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括去除所述掩模。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述下层上形成所述掩模包括利用光刻处理形成所述掩模，其中，所述光刻处理为第一临界尺寸优化，并且其中，所述掩模具有大体上小于所述第一临界尺寸的第二临界尺寸。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述下层上形成所述掩模包括利用光刻处理形成所述掩模，其中，所述光刻处理为第一密度优化，并且其中，所述掩模具有大体上大于所述第一密度的第二密度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，修正所述掩模的形貌包括去除所述掩模侧边的第一部分。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，去除所述掩模侧边的第一部分包括低压蚀刻处理或选择性沉积处理中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述低压蚀刻处理包括小于大约70毫托的蚀刻处理压力。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述选择性沉积处理包括大于大约50毫托的沉积处理压力。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，修正所述掩模的形貌包括增加第二部分材料到所述掩模的侧边。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，增加第二部分材料到所述掩模的侧边包括低压蚀刻处理或选择性沉积处理的至少一种。
11.根据权利要求1所述的方法，进一步包括缩小所述掩模的修正的形貌。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，缩小所述掩模的所述修正的形貌包括增加第三部分材料到所述掩模的侧边。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述下层中形成的所述特征大体上等于或小于所述缩小的掩模。
14.一种形成特征的方法，包括：
在下层上形成第一材料的掩模，所述掩模具有未修正的形貌，其中所述掩模被利用光刻处理形成，所述光刻处理为第一临界尺寸优化，并且其中，所述掩模具有大体上小于所述第一临界尺寸的第二临界尺寸；
修正所述掩模的形貌，包括
去除所述掩模的侧边的第一部分；以及
增加第二部分材料到所述掩模的侧边；以及
在所述下层中形成特征。
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