[发明专利]电子元件及制造方法有效
| 申请号： | 200680023565.5 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101213638A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | L.皮尔·德罗什蒙 | 申请（专利权）人： | L.皮尔·德罗什蒙 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张春媛 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子元件提供位于电介质基体(262)之上或之中、处于一对电导体(260A、260B)之间并与其接触的陶瓷元件(264)，其中陶瓷元件包括一种或多种金属氧化物，其在整个所述陶瓷元件中的金属氧化物组分均匀度的波动小于或等于1.5mol％。一种制造电子元件的方法，提供以下步骤：在基体上的一对导电体之间形成陶瓷元件并与该对导电体接触，包括沉积金属有机先导物的混合物并使金属氧化物先导物同时沉积，以形成包括一种或多种金属氧化物的陶瓷元件。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件，其包含位于电介质基体之上或之中、处于一对电导体之间并与其接触的陶瓷元件，其中所述陶瓷元件包括一种或多种金属氧化物，其在整个所述陶瓷元件中的金属氧化物组分均匀度的波动小于或等于1.5mol％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
