[发明专利]电子元件及制造方法有效
申请号: | 200680023565.5 | 申请日: | 2006-06-30 |
公开(公告)号: | CN101213638A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | L.皮尔·德罗什蒙 | 申请(专利权)人: | L.皮尔·德罗什蒙 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张春媛 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子元件 制造 方法 | ||
技术领域
本发明总体上涉及嵌入式电子元件的构建,具体说,涉及用于信号处理的元件。
相关申请
申请人要求2005年6月30日提交的申请号为60/695,485,名称为“扩展频谱接收器及制造方法(SPREAD SPECTRUM RECIEVER ANDMEHTOD OF MANUFACTURE)”的美国临时专利申请的优先权,其内容引用于此作为参考。
背景技术
传统的数字通信利用信号脉冲的强度编码二进位信息,其利用全振幅或高振幅脉冲将1位(1bit)信息和低振幅或无振幅脉冲转换成0位(0bit)数据,反之亦然。无线通信在有限带宽的限制下和多源信号干扰下运行,该信号干扰可以导致利用简单数字编码的数据流中的高比特误差率水平。已开发出扩展频谱信令协议以提供有意义的数据速率和更高的信号强度的方式用于解决这些问题。这些协议利用相位偏移键控(phase shift keying,PSK)或正交振幅调制(quadrature amplitude modulation)技术将传输脉冲整形为一种符号,该符号将一系列连续数据位编码成信号脉冲。图1A利用相图说明具有恒定振幅101和调制移相103的信号如何生成四个不同的相态105A、105B、105C、105D,这些相态用于对四个不同的两位数据组合[1,1]、[0,1]、[1,0]、[0,0]标记符号。图1B说明如何利用含有16个不同振幅和相态107的信号群(signal constellation):[1,1,1,1]、[1,1,1,0]、[1,1,0,1]、[1,0,1,1]、[0,1,1,1]、[1,0,0,1]、[1,0,0,0]、[0,1,0,1]、[0,1,0,0]、[0,0,1,0]、[1,0,0,1]、[0,0,0,1]、[1,0,0,0]、[0,0,0,1]、[0,1,1,0]和[0,0,0,0]编码每个四(4)位的符号。
这些符号调制技术通过信号滚降参数(signal roll-off parameter)α影响脉冲的形状,该信号滚降参数可以取1≤α≤0范围的值。如图2A、2B、2C所示,当在时域中观察脉冲109A、109B、109C时,用于表示不同符号的不同滚降参数会显著调制信号载波。时域信号调制主要影响脉冲的前部和曳尾111A、111A′、111B、111B′、111C、111C。图3A、3B、3C说明变化的滚降参数如何在频域中影响脉冲113A、113B、113C。T用于定义符号时长,W为奈奎斯特率(Nyquist rate),在图2、3中W=1/2T。这种调制形式使得脉冲的功率谱密度(power spectral density)随着滚降参数的增加扩展到更大的频率。因此,在频域中通过分析符号更有效地实现信号检测。
传统的接收器使用传感器记录脉冲的时域记号并将处理器功能用于执行数学计算脉冲功率谱密度的快速傅里叶逆变换(inverse Fast FourierTransform,IFFF)或快速傅里叶离散逆变换(inverse Discrete Fast FourierTransform)。使用数学方法对符号的功率谱密度进行去卷积增加接收器元件成本,从所有可利用的功率预算中消耗额外功率,并在移动无线平台上包装时占用宝贵的实际空间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于L.皮尔·德罗什蒙,未经L.皮尔·德罗什蒙许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造