[发明专利]电子元件及制造方法

权利要求书

1.一种电子元件，其包含位于电介质基体之上或之中、处于一对电导体之间并与其接触的陶瓷元件，其中所述陶瓷元件包括一种或多种金属氧化物，其在整个所述陶瓷元件中的金属氧化物组分均匀度的波动小于或等于1.5mol％。

2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述一种或多种金属氧化物实质上由具有实质上统一的颗粒尺寸的粒子组成。

3.根据权利要求2所述的电子元件，其特征在于，颗粒尺寸沿每个粒子的主轴线测定，并且其中颗粒尺寸小于包含在陶瓷元件中的平均颗粒尺寸的1.5倍、大于其0.5倍。

4.根据权利要求2所述的电子元件，其特征在于，颗粒尺寸通过制造过程中控制热处理决定。

5.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述陶瓷元件具有由包括在其中的特定的所述一种或多种金属氧化物确定的电学特性。

6.根据权利要求5所述的电子元件，其特征在于，所述电学特性受制造过程中使用热处理控制颗粒尺寸的影响。

7.根据权利要求6所述的电子元件，其特征在于，所述陶瓷元件的电学特性显示出实质上恒定的值，其在40℃至120℃的工作温度范围内变化≤1％。

8.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述陶瓷元件通过使金属有机先导物同时沉积而制造。

9.根据权利要求7所述的电子元件，其特征在于，同时沉积通过对沉积的所述金属有机先导物使用快速热退火实现。

10.根据权利要求7所述的电子元件，其特征在于，所述陶瓷元件通过在同时沉积之前沉积羧酸盐先导物制造。

11.根据权利要求9所述的电子元件，其特征在于，先导物作为蜡质化合物沉积。

12.根据权利要求10所述的电子元件，其特征在于，向沉积的先导物施加辐射能，以引起同时沉积。

13.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述一种或多种金属氧化物具有金红石、烧绿石、钙钛矿、主体中心立方体、斜十二方面体、菱形偏三八方面体晶体相，或以上的结合，其包括氧化铜(CuO)、氧化镍(NiO)、氧化钌(RuO₂)、氧化铱(IrO₂)、氧化铑(Rh₂O₃)、氧化锇(OsO₂)、氧化锑(Sb₂O₃)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO)、氧化铪(HfO)、氧化钽(Ta₂O₅)、氧化铌(Nb₂O₅)、氧化铁(Fe₂O₃)和氧化硅(SiO₄)中的一种或多种。

14.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述陶瓷元件包括具有本征薄片电阻率大于25μΩ-cm的电阻性金属氧化物材料。

15.根据权利要求14所述的电子元件，其特征在于，所述陶瓷元件还包括导电性金属氧化物，并且其中所述电子元件为电阻器。

16.根据权利要求14所述的电子元件，其特征在于，所述一种或多种金属氧化物可以具有金红石、烧绿石或钙钛矿晶体相，其包括氧化铜(CuO)、氧化镍(NiO)、氧化钌(RuO₂)、氧化铱(IrO₂)、氧化铑(Rh₂O₃)、氧化锇(OsO₂)、氧化锑(Sb₂O₃)以及铟-锡氧化物中的一种或多种。

17.根据权利要求16所述的电子元件，其特征在于，所述一种或多种金属氧化物选自由以下物质组成的群组：氧化铋(Bi₂O₃)、氧化镧(La₂O₃)、氧化铈(Ce₂O₃)、氧化铅(PbO)以及氧化钕(Nd₂O₃)。