[发明专利]制造平板基体的方法有效
| 申请号： | 200680023110.3 | 申请日： | 2006-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101208457A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | H·特兰奎克;J·维勒特 | 申请（专利权）人： | OC欧瑞康巴尔斯公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C30/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘冬;韦欣华 |
| 地址： | 列支敦士*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
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| 摘要： | 为了避免PECVD反应器的金属内表面影响沉积在大表面基体(15)上的μc－Si层(19)的厚度均匀性和质量均匀性，在单次处理每个基体之前用介电层(13)预涂布至少部分所述壁。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 平板 基体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造平板基体的方法，所述基体大小至少2500cm2，且具有在真空反应器中用PECVD法沉积的Si层，所述真空反应器具有基体载体第一电极及与之相隔一段空间的气体倾注第二电极，所述方法包括：a)在所述电极之间的反应空间中产生RF等离子体放电；b)使介电预涂层沉积在所述反应器的至少部分内表面上；c)将一个基体引入所述反应器内；d)使介电层沉积在所述基体的表面上；e)用PECVD使所述Si层沉积在所述介电层上成为μc-Si层；f)重复步骤b)至e)以制造每个单一基体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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